[实用新型]光纤

说明书

本实用新型提供了一种光纤，涉及光通信技术领域，其中光纤包括由内而外依次包括单掺锗二氧化硅芯层、隔断层、单掺氟二氧化硅光学包层及外包层，所述隔断层用于防止单掺锗二氧化硅芯层中锗和单掺氟二氧化硅光学包层中氟相互扩散；其中所述单掺氟二氧化硅光学包层分为三层，从内到外依次为浅掺氟层、主掺氟层及辅掺氟层，所述浅掺氟层及辅掺氟层的折射率均大于所述主掺氟层的折射率。通过隔断层的设置减少了掺杂元素的迁移导致的折射率的抵消，且通过单掺氟二氧化硅光学包层的分层设置，使SiO₂内掺氟的量在半径方向有一个浓度逐渐变化的过程，这种变化的过程可以使光纤截面粘度沿半径方向呈逐渐变化的趋势，得到低损耗低弯曲损耗光纤。

技术领域

本实用新型涉及光通信技术领域，尤其涉及一种光纤。

背景技术

本部分旨在为权利要求书中陈述的本实用新型的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。

G.657光纤由于其具有较为优异的耐弯曲特性，近年来被广泛应用，其主要结构包括由内向外设置的掺锗的单掺锗二氧化硅芯层、单掺氟二氧化硅光学包层及外包层。为了实现光纤本身弯曲损耗小的性能，主要是通过降低光纤的模场直径，增加凹陷包层的方式；而实现凹陷包层是通过在单掺氟二氧化硅光学包层内掺入折射率低的氟元素实现。

由于氟元素的掺入，有一部分氟元素会与折射率高的锗元素混掺，在实现同样单掺锗二氧化硅芯层折射率的情况下会比普通G.652光纤多掺入10％～15％的锗元素。锗元素的增加掺入，会带来瑞利散射的增加，这种条件下生产出的光纤，1310nm波段的损耗一般会比G.652光纤高出0.010dB/km～0.015dB/km。因此需要一种光纤，来保证单掺锗二氧化硅芯层与单掺氟二氧化硅光学包层之间锗元素及氟元素之间的相互掺杂引起的光纤衰减增加的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种光纤，其具有保证低衰减的同时兼具有较低的弯曲损耗。

本实用新型提供的技术方案为：

一种光纤，内而外依次包括单掺锗二氧化硅芯层、隔断层、单掺氟二氧化硅光学包层及外包层，所述隔断层用于防止单掺锗二氧化硅芯层中锗和单掺氟二氧化硅光学包层中氟相互扩散；其中所述单掺氟二氧化硅光学包层分为三层，从内到外依次为浅掺氟层、主掺氟层及辅掺氟层，所述浅掺氟层及辅掺氟层的折射率均大于所述主掺氟层的折射率。

优选的，所述隔断层、所述浅掺氟层、所述主掺氟层及所述辅掺氟层中相邻的每两层之间的折射率渐变变化，并控制每1μm内的折射率变化为0.03％～0.05％。

优选的，所述单掺锗二氧化硅芯层的折射率为0.35％～0.45％，所述单掺锗二氧化硅芯层的厚度为4.0μm～4.5μm。

优选的，所述隔断层的相对折射率为-0.01％～0.01％，其厚度为1.5μm～2μm。

优选的，所述浅掺氟层的折射率为-0.04％～-0.07％，厚度为2.5μm～4.2μm。

优选的，所述主掺氟层折射率为-0.08％～-0.15％，所述主掺氟层厚度为5μm～8.5μm。

优选的，所述辅掺氟层的折射率为-0.01％～-0.07％，厚度为2.5～4.2μm。

优选的，所述外包层为光纤的保护层，且所述外包层为纯SiO₂层所述外包层的折射率为0～0.005％，其厚度为41.1μm～49.0μm。