[实用新型]一种IGBT组件稳定性提升装置有效
申请号: | 201822105351.5 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN209045522U | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 刘玉 | 申请(专利权)人: | 南京速之海自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 南京禾易知识产权代理有限公司 32320 | 代理人: | 王彩君 |
地址: | 210007 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 立杆 框板 底座 底板 稳定性提升 滑动 放置座 上板 丝杆 电机 相对静止状态 凹字形结构 本实用新型 内凹结构 上下滑动 提升装置 元件放置 运输过程 装置使用 拐角处 上表面 掉落 底面 立柱 内卡 遮挡 摩擦 震动 | ||
本实用新型属于提升装置技术领域,尤其为一种IGBT组件稳定性提升装置,包括底座,所述底座的上表面四个拐角处固定有立杆,四个所述立杆远离所述底座的一端固定有上板,所述上板的底面靠近所述立杆的一侧固定有内凹结构的放置座,且所述放置座内卡合连接有电机;在框板的两侧安装有连接块,该连接块的内部滑动有立杆,这样在装置使用时,框板和连接块便会在立柱上上下滑动,并且滑动的动力来源于电机和丝杆的运动,这样可以把元件放置在底板上进而提升到下一目的地,运输过程中,底板与丝杆处在相对静止状态,两者之间摩擦小,震动小,可以达到稳定输送的效果,框板呈凹字形结构,可以起到遮挡的作用,能够避免元件掉落。
技术领域
本实用新型属于提升装置技术领域,具体涉及一种IGBT组件稳定性提升装置。
背景技术
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上,在IGBT组件制造过程中需要使用多种机械装置,能够一步步加工最终得到成品IGBT。
现有的技术存在以下问题:
1、在IGBT组件制造过程中使用较多的是提升装置,现在市面上的提升装置存在一定的不足之处,在元件放置在提升装置上运输时;元件易受震动影响产生抖动,这样元件容易掉落在地面上,不便于元件稳定输送;
2、一般元件输送到目的地后,需要操作员手动将其拿出,操作繁琐,耗时长,降低工作效率,不利于后续加工使用。
实用新型内容
为解决上述背景技术中提出的问题。本实用新型提供了一种IGBT组件稳定性提升装置,具有结构简单,操作方便,能够将元件稳定提升到下一个目的地,改进的提升装置还具有便于卸货的特点。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种IGBT组件稳定性提升装置,包括底座,所述底座的上表面四个拐角处固定有立杆,四个所述立杆远离所述底座的一端固定有上板,所述上板的底面靠近所述立杆的一侧固定有内凹结构的放置座,且所述放置座内卡合连接有电机,所述电机的输出轴固定有丝杆,且所述丝杆延伸至所述底座的上表面,所述底座的上表面固定设有轴承,所述丝杆远离所述电机输出轴的一端和所述轴承转动连接,所述丝杆的外侧壁滑动连接有套块,且所述套块的外侧壁固定有框板,所述框板的底面固定有底板,所述框板的两侧固定有连接块,且所述连接块套设在所述立杆的外侧壁,所述框板的内侧壁两侧固定有轴杆,所述轴杆的外侧壁转动连接有承接板,所述承接板的前表面开设滑轨,所述框板的内部开设通槽,所述滑轨的内部滑动连接有滑杆,所述滑杆的前表面固定有手柄,所述电机与外部电源电性连接。
优选的,所述底板与所述承接板通过所述轴杆转动连接。
优选的,所述立杆的数量共四个,且分为两组,其中一组所述立杆的外侧壁滑动连接有所述连接块。
优选的,所述框板呈凹字形结构,且所述框板与所述底板之间的夹角大于90°。
优选的,所述电机与所述轴承通过所述丝杆传动连接。
优选的,所述通槽的数量为两个,且两个所述通槽的内部均滑动连接所述滑杆。
优选的,所述承接板呈U形结构,且所述承接板的长度等于所述框板的高度。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、在框板的两侧安装有连接块,该连接块的内部滑动有立杆,这样在装置使用时,框板和连接块便会在立柱上上下滑动,并且滑动的动力来源于电机和丝杆的运动,这样可以把元件放置在底板上进而提升到下一目的地,运输过程中,底板与丝杆处在相对静止状态,两者之间摩擦小,震动小,可以达到稳定输送的效果,框板呈凹字形结构,可以起到遮挡的作用,能够避免元件掉落。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造