[实用新型]半导体芯片

权利要求书

1.一半导体芯片，其特征在于，包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层以及一绝缘层，其中所述半导体芯片进一步包括一电极组，其中所述电极组包括：

一N型电极，其包括一N型电极焊盘、至少一N型电极扩展条以及至少一列N型电极连接针，其中所述N型电极焊盘层叠于所述绝缘层和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，其中每个所述N型电极扩展条分别延伸于所述N型电极焊盘和层叠于所述绝缘层，其中每列所述N型电极连接针中的每个所述N型电极连接针分别以相互间隔的方式延伸于所述N型电极扩展条和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，其中一列所述N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同；和

一P型电极，其包括一P型电极焊盘、至少一P型电极扩展条以及至少一列P型电极连接针，其中所述P型电极焊盘层叠于所述绝缘层和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述P型半导体层，其中每个所述P型电极扩展条分别延伸于所述P型电极焊盘和层叠于所述绝缘层，其中每列所述P型电极连接针中的每个所述P型电极连接针分别以相互间隔的方式延伸于所述P型电极连接针和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层，其中一列所述P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中一列所述N型电极连接针中的每个所述N型电极连接针的截面尺寸渐变；其中一列所述P型电极连接针中的每个所述P型电极连接针的截面尺寸渐变。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中一列所述N型电极连接针中的每个所述N型电极连接针的截面尺寸自所述半导体芯片的第二端部向第一端部方向依次递减；其中一列所述P型电极连接针中的每个所述P型电极连接针的截面尺寸自所述半导体芯片的第一端部向第二端部方向依次递减。

4.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中一列所述N型电极连接针中的每个所述N型电极连接针的截面尺寸自所述半导体芯片的第二端部向第一端部方向依次递减；其中一列所述P型电极连接针中的每个所述P型电极连接针的截面尺寸自所述半导体芯片的第一端部向第二端部方向依次递增。

5.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中一列所述N型电极连接针中的每个所述N型电极连接针的截面尺寸自所述半导体芯片的第二端部向第一端部方向依次递增；其中一列所述P型电极连接针中的每个所述P型电极连接针的截面尺寸自所述半导体芯片的第一端部向第二端部方向依次递减。

6.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中一列所述N型电极连接针中的每个所述N型电极连接针的截面尺寸自所述半导体芯片的第二端部向第一端部方向依次递增；其中一列所述P型电极连接针中的每个所述P型电极连接针的截面尺寸自所述半导体芯片的第一端部向第二端部方向依次递增。

7.根据权利要求1至6中任一所述的半导体芯片，其中所述N型电极包括一个所述N型电极扩展条，所述N型电极扩展条在所述半导体芯片的中部自所述N型电极焊盘向所述半导体芯片的第一端部方向延伸；其中所述P型电极包括两个所述P型电极扩展条，两个所述P型电极扩展条分别在所述半导体芯片的边缘自所述P型电极焊盘向所述半导体芯片的第二端部方向延伸，并且两个所述P型电极扩展条相对于所述N型电极扩展条对称。

8.根据权利要求1至6中任一所述的半导体芯片，其中所述P型电极包括一个所述P型电极扩展条，所述P型电极扩展条在所述半导体芯片的中部自所述P型电极焊盘向所述半导体芯片的第二端部方向延伸；其中所述N型电极包括两个所述N型电极扩展条，两个所述N型电极扩展条分别在所述半导体芯片的边缘自所述N型电极焊盘向所述半导体芯片的第一端部方向延伸，并且两个所述N型电极扩展条相对于所述P型电极扩展条对称。