[实用新型]半导体芯片

说明书

本实用新型公开了一半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同，所述P型电极的一列P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同，通过这样的方式，自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够均匀地分布于所述半导体芯片，从而改善电流扩展死角的问题，以提高所述半导体芯片的发光效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，特别涉及一半导体芯片。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的半导体芯片的发光原理是利用N型半导体层和P型半导体层间移动的能量差以光的形式释放能量而发光的，因此，发光二极管被称为冷光源。此外，发光二极管具有耐久性高、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，因此，现今的照明市场对于发光二极管给予厚望，将其视为新一代的照明工具。

发光二极管的半导体芯片的发光效率受限于电流扩展效果，在半导体芯片结构中，由于P型半导体层(例如P型氮化镓层)的电导率较差，为了改善P型半导体层的电流扩展效果，通常在P型半导体层之上采用透明导电层来进行电流扩展，例如ITO、ZnO膜层等，其中透明导电层既要起到透明和电流扩展的效果，又要与P型半导体层形成欧姆接触。但是，现有的半导体芯片采用透明导电层扩展P型半导体层的电流的方式仍然存在着较大的缺陷，由于透明导电层的电导率有限，在越接近半导体芯片的边缘的位置，因电流扩展越不易而容易出现电流扩展死角的问题，进而导致半导体芯片的发光不均匀，出现在半导体芯片的边缘亮度偏暗和在半导体芯片的中部亮度偏亮的不良现象。

实用新型内容

本实用新型的一个目的在于提供一半导体芯片，其中所述半导体芯片的电流扩展死角的问题能够被改善，从而有利于提高所述半导体芯片的发光面积和发光效率。

本实用新型的一个目的在于提供一半导体芯片，其中电流能够自所述半导体芯片的中部向四周边缘均匀地扩展，以有利于保证所述半导体芯片均匀地发光。

本实用新型的一个目的在于提供一半导体芯片，其中电流能够被均匀地发布于所述半导体芯片的中部和边缘，从而改善电流扩展死角的问题，以保证所述半导体芯片能够均匀地发光。

本实用新型的一个目的在于提供一半导体芯片，其中所述半导体芯片的N型电极提供至少一列相互间隔的N型电极连接针，以允许自所述N型电极注入的电流能够经这些所述N型电极连接针被扩展到所述半导体芯片的N型半导体层，相应地，所述半导体芯片的P型电极提供至少一列相互间隔的P型电极连接针，以允许自所述P型电极注入的电流能够经这些所述P型电极连接针被扩展到所述半导体芯片的P型半导体层，通过上述这样的方式，电流能够被均匀地分布至所述半导体芯片的中部和边缘，从而改善电流扩展死角的问题。

本实用新型的一个目的在于提供一半导体芯片，其中一列所述N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸不同于其他的所述N型电极连接针的截面尺寸，一列所述P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸不同于其他的所述P型电极连接针的截面尺寸，其中所述N型电极连接针的截面尺寸和所述P型电极连接针的截面尺寸根据所述N型电极连接针的位置和所述P型电极连接针的位置被选择，以便于自所述N型电极和所述P型电极注入的电流均匀地分布至所述半导体芯片的中部和边缘。

本实用新型的一个目的在于提供一半导体芯片，其中一列所述N型电极连接针的截面尺寸渐变，和一列所述P型电极连接针的截面尺寸渐变，通过这样的方式，自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够被均匀地分布至所述半导体芯片的各个位置。例如，一列所述N型电极连接针的截面尺寸自所述半导体芯片的第二端部向第一端部方向递减或者递增，一列所述P型电极连接针的截面尺寸自所述半导体芯片的第一端部向第二端部方向递减或者递增。