[实用新型]一种具有高增益的异质结双极性晶体管有效
申请号: | 201822108748.X | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN209133512U | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 彭俊益;叶金坤;杨健;蔡文必 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L29/73 | 分类号: | H01L29/73;H01L29/10;H01L29/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361100 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 八边形 长条形 射极 集极区域 外延层 集极 异质结双极性晶体管 本实用新型 高增益 金属层 内凹陷 基极金属 射频增益 面积比 电容 | ||
1.一种具有高增益的异质结双极性晶体管,其特征在于:包括一个八边形基极基座、一个八边形射极外延层、一个长条形集极区域和两个长条形集极金属层;所述长条形集极区域位于八边形基极基座之下;两个长条形集极金属层分别位于长条形集极区域之上、八边形基极基座相对之两侧;八边形射极外延层位于八边形基极基座上方;八边形射极外延层设有两个八边形内凹陷部,八边形基极基座上的两个长条形基极金属层分别设于两个八边形内凹陷部内。
2.根据权利要求1所述的一种具有高增益的异质结双极性晶体管,其特征在于:八边形射极外延层的宽度范围为大于1.6um且小于4um,其长度范围为大于20um且小于100um,且其宽度的两倍小于八边形基极基座的宽度,其长度小于八边形基极基座的长度。
3.根据权利要求1所述的一种具有高增益的异质结双极性晶体管,其特征在于:八边形射极外延层与八边形基极基座外边之间间隙的范围为大于0um且小于2um。
4.根据权利要求1所述的一种具有高增益的异质结双极性晶体管,其特征在于:两个长条形基极金属层长度之和小于八边形射极外延层的长度。
5.根据权利要求1所述的一种具有高增益的异质结双极性晶体管,其特征在于:长条形基极金属层与八边形射极外延层之间间隙的范围为大于0.5um且小于1.0um。
6.根据权利要求1所述的一种具有高增益的异质结双极性晶体管,其特征在于:八边形射极外延层的内凹陷部设于八边形基极基座的短轴中央处或邻近中央处。
7.根据权利要求1所述的一种具有高增益的异质结双极性晶体管,其特征在于:所述八边形为正八边形。
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