[实用新型]一种具有高增益的异质结双极性晶体管

说明书

本实用新型公开了一种具有高增益的异质结双极性晶体管，包括一个八边形基极基座、一个八边形射极外延层、一个长条形集极区域和两个长条形集极金属层；所述长条形集极区域位于八边形基极基座之下；两个长条形集极金属层分别位于长条形集极区域之上、八边形基极基座相对之两侧；八边形射极外延层位于八边形基极基座上方；八边形射极外延层设有两个八边形内凹陷部，八边形基极基座上的两个长条形基极金属层分别设于两个八边形内凹陷部内。本实用新型通过提高射极对基极面积比，从而有效缩小集极电容，达到在一定频率范围内提高射频增益。

技术领域

本实用新型属于异质结双极性晶体管的技术领域，特别涉及一种具有高增益的异质结双极性晶体管。

背景技术

随着电话通讯和信息化产品等不断发展，功率放大器的特性指标需求竞争激烈，于是较高特性指标的器件结构，就成了重要的器件设计指标。异质结双极性晶体管(HBT)的性能指标中，射频增益(RF Gain)是重要的衡量指标之一。

在现有的技术上，图1所示的异质结双极性晶体管设计结构为BEB结构，即基极基座上的基极金属与射极指叉形状为“基极-射极-基极”。由于缩小基极基座(BasePedestal; BP)可降低基-集接面电容效应(Base-Collector Junction Capacitance,Cbc)，从而提高射频增益 (当应用在频率小于最大增益Gmax稳态转折频率时)，因此出现了图2所示的结构为EBE结构，即基极基座上的基极金属与射极指叉形状为“射极-基极-射极”。为了进一步缩小基极基座提高射频增益，进而出现了图3所示的结构为Type-H结构，即射极形状为H形状。图4所示的结构为Type-8+结构，此结构有更高的射极-基极占比，因此有更佳的射频增益。

因此，本发明人对此做进一步研究，研发出一种具有高增益的异质结双极性晶体管，本案由此产生。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种具有高增益的异质结双极性晶体管，其通过提高射极对基极面积比，从而有效缩小集极电容，达到在一定频率范围内提高射频增益。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术解决方案是：

一种具有高增益的异质结双极性晶体管，包括一个八边形基极基座、一个八边形射极外延层、一个长条形集极区域和两个长条形集极金属层；所述长条形集极区域位于八边形基极基座之下；两个长条形集极金属层分别位于长条形集极区域之上、八边形基极基座相对之两侧；八边形射极外延层位于八边形基极基座上方；八边形射极外延层设有两个八边形内凹陷部，八边形基极基座上的两个长条形基极金属层分别设于两个八边形内凹陷部内。

进一步，八边形射极外延层的宽度范围为大于1.6um且小于4um，其长度范围为大于20um且小于100um，且其宽度的两倍小于八边形基极基座的宽度，其长度小于八边形基极基座的长度。

进一步，八边形射极外延层与八边形基极基座外边之间间隙的范围为大于0um且小于2um。

进一步，两个长条形基极金属层长度之和小于八边形射极外延层的长度。

进一步，长条形基极金属层与八边形射极外延层之间间隙的范围为大于0.5um且小于1.0um。

进一步，八边形射极外延层的内凹陷部设于八边形基极基座的短轴中央处或邻近中央处。

进一步，所述八边形为正八边形。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：具有更高的射极对基极面积比（EM / BP），而通常输出功率取决于射极外延层面积（电流最拥挤的地方），因此，在相同的射极外延层（EM）面积下，降低基极基座（BP）面积，能有效缩小晶体管的面积，进一步缩小芯片尺寸及降低成本，使得本实用新型具有较小的芯片面积。

附图说明