[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201822108883.4 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN209434226U | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 胡双元 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 朱静谦 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 导热层 第一导电类型 半导体层 基板 键合 导电类型半导体层 半导体技术领域 本实用新型 第二金属层 第一金属层 导电类型 绝缘性能 灵敏度 散热 制备 半导体 保证 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
基板(7)；
导热层(5、6)，设置在所述基板(7)上；
第一导电类型半导体层(4)，设置在所述导热层(5、6)上；
第二导电类型半导体层(3)，设置在所述第一导电类型半导体层(4)上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述导热层包括相互键合的第一金属层(5)和第二金属层(6)。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一金属层(5)包括Au、Cu、In、Ti、Pt、Cr、Ge以及Ni中的至少一个；
和/或所述第二金属层(6)包括Au、Cu、In、Ti、Pt、Cr、Ge以及Ni中的至少一个。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为霍尔元件，所述霍尔元件还包括：电极(8)和磁芯(10)，所述电极(8)和磁芯(10)设置在第二导电类型半导体层(3)上。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述电极(8)具有多个，其分布于所述第二导电类型半导体层(3)表面，且具有用于使电流流向所述第二导电类型半导体层(3)的输入用电极和用于输出霍尔电压的输出用电极。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述磁芯(10)和所述第二导电类型半导体层(3)之间还设置有绝缘层(9)。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电类型半导体层(3)呈十字结构；所述电极(8)具有四个，其分布于所述第二导电类型半导体层(3)的十字结构端部。
8.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述基板(7)为铁氧体基板。
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