[实用新型]一种半导体器件

说明书

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。其中，包括：基板；设置在所述基板上的导热层，导热层包括相互键合的第一金属层和第二金属层；设置在所述导热层上第一导电类型半导体层；设置在所述第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层。通过两种导电类型的半导体层层叠设置，保证了半导体器件使用过程中的绝缘性能；并通过互相键合的导热层，保证了半导体器件的正常散热，保持半导体器件的灵敏度。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件。

背景技术

霍尔元件是一种常用的半导体器件，在传统的锑化铟霍尔元件制作中，锑化铟功能层薄膜通过蒸镀的方式在云母上形成，为了进一步提升元件的灵敏度，将锑化铟功能层薄膜转移至铁氧体基板上，同时再在薄膜表面贴装磁芯，从而可以将锑化铟霍尔元件的灵敏度提高至5倍及以上。在锑化铟薄膜转移至铁氧体基板上时，因为铁氧体是导电材料，因此在锑化铟薄膜和铁氧体之间，需要一层绝缘胶水，起粘贴和绝缘的作用。一般来说，绝缘胶水的导热能力都是很差的，随着驱动电流的增加，霍尔元件在工作时，产生的热量越来越多，绝缘胶的低导热性，导致这些热量无法及时耗散出去，从而使霍尔元件的灵敏度降低，零点出现不稳定，可靠性也受到影响。以锑化铟霍尔元件生产厂商旭化成的经典款产品HW322B为例，当驱动电流超过3mA，不平衡电压即开始不太稳定，霍尔元件灵敏度也呈现非线性，这大大制约了锑化铟霍尔元件的应用场景。

实用新型内容

因此，本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中的半导体器件在大电流下工作时，性能明显下降的问题，提供一种高可靠性的半导体器件。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案如下：

本实用新型提供一种半导体器件，包括：

基板；

导热层，设置在所述基板上；

第一导电类型半导体层，设置在所述导热层上；

第二导电类型半导体层，设置在所述第一导电类型半导体层上。

上述半导体器件中，所述导热层包括相互键合的第一金属层和第二金属层。

进一步地，所述半导体器件为霍尔元件，所述霍尔元件还包括：电极和磁芯，所述电极和磁芯设置在第二导电类型半导体层上。

进一步地，所述基板为铁氧体基板。

上述半导体器件中，所述第一金属层包括Au、Cu、In、Ti、Pt、Cr、Ge以及Ni中的至少一个；和/或所述第二金属层包括Au、Cu、In、Ti、Pt、Cr、Ge以及Ni中的至少一个。

上述半导体器件中，所述第二导电类型半导体层为N型半导体功能层；所述第一导电类型半导体层为高阻或P型半导体盖层。

上述半导体器件中，所述N型半导体功能层和高阻或P型半导体盖层均为锑化铟、砷化镓以及砷化铟中的任一者。

上述半导体器件中，所述电极具有多个，其分布于所述第二导电类型半导体层表面，且具有用于使电流流向所述第二导电类型半导体层的输入用电极和用于输出霍尔电压的输出用电极。

上述半导体器件中，所述磁芯和所述第二导电类型半导体层之间还设置有绝缘层。

上述半导体器件中，第二导电类型半导体层呈十字结构；所述电极具有四个，其分布于第二导电类型半导体层的十字结构的端部。

本实用新型技术方案，具有如下优点：