[实用新型]裸片切割及堆叠式装置结构

权利要求书

1.一种结构，其特征在于，所述结构包括：

基板；

第一裸片，所述第一裸片具有第一侧壁，所述第一侧壁具有至少一个第一凹痕，所述第一裸片被附接至所述基板；以及

封装物，所述封装物位于所述第一裸片与所述基板之间，所述封装物被设置在所述第一凹痕中并被粘合到所述第一凹痕的第一表面。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一侧壁是波状侧壁，所述第一凹痕是所述波状侧壁的凹形表面。

3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一侧壁是具有一个或多个凹口的垂直侧壁，所述至少一个第一凹痕是所述一个或多个凹口。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述结构还包括第二裸片，所述第二裸片具有第二侧壁，所述第二侧壁具有至少一个第二凹痕，所述第二裸片被附接至所述基板，其中所述封装物还位于所述第二裸片与所述基板之间并且横向地位于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间以及粘合至所述第一侧壁与所述第二侧壁，所述封装物还被设置在所述第二凹痕中并且粘合至所述第二凹痕的第二表面。

5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一侧壁是通过从工件切割所述第一裸片而形成，所述从工件切割所述第一裸片包括使用深反应离子蚀刻DRIE工艺。

6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一侧壁是通过从工件切割所述第一裸片而形成，所述从工件切割所述第一裸片包括使用各向异性蚀刻工艺以及随后的各向同性蚀刻工艺，其中至少一部分由所述各向异性蚀刻工艺形成的侧壁在所述各向同性蚀刻工艺期间被钝化。

7.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述基板是具有集成电路的第二裸片，或者所述基板是中介层。

8.一种结构，其特征在于，所述结构包括：

基板；

第一裸片，所述第一裸片具有第一侧壁以及沿着所述第一侧壁的第一衬垫，所述第一裸片被附接至所述基板；以及

封装物，所述封装物位于所述第一裸片和所述基板之间，所述封装物被粘合至所述第一衬垫。

9.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，所述结构还包括第二裸片，所述第二裸片具有第二侧壁以及沿着所述第二侧壁的第二衬垫，所述第二裸片被附接至所述基板，其中所述封装物还位于所述第二裸片与所述基板之间，并且横向地位于所述第一裸片与所述第二裸片之间以及粘合至所述第二衬垫。

10.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，所述第一衬垫是氮化物层。

11.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，形成所述第一衬垫包括沿着所述第一侧壁沉积所述第一衬垫以及使用蚀刻工艺平滑所述第一衬垫。

12.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，所述基板是具有集成电路的第二裸片，或者所述基板是中介层。