[实用新型]裸片切割及堆叠式装置结构

说明书

本申请描述了用于从相应工件切割裸片的技术，以及将一个或多个切割的裸片结合到堆叠式装置结构中的技术。在一些实施例中，从工件切割裸片包括在切割线中化学蚀刻工件。在一些实施例中，从工件切割裸片包括在切割线中机械切割工件并沿着裸片的侧壁形成衬垫。裸片可以被结合到堆叠式装置结构中。裸片可以沿着附接到基板上的另一裸片而附接到基板上。封装物可以位于每一个裸片和基板之间，并且横向地位于裸片之间。

技术领域

本申请的实施例大致涉及裸片切割(die singulation)以及堆叠式装置结构，特别地，涉及从工件切割裸片的工艺，用于改进堆叠式装置结构中的特性。

背景技术

通常来说，半导体加工工业已普遍开发出堆叠技术，其中形成在裸片上的集成电路被堆叠到另一基板上。堆叠技术的示例包括被称为2.5维集成电路(2.5DIC)的技术，其中一个或多个裸片(每一裸片上均形成有集成电路)被堆叠在中介层(interposer)上。另一示例包括被称为3维集成电路(3DIC)的技术，其中一个或多个裸片(每一裸片上均形成有集成电路)被堆叠在另一裸片(其上亦形成有集成电路)上。在另一示例中，可以实现具有或不具有中介层的多级堆叠式裸片。

堆叠技术的益处为更高的密度、更小的占用面积、更短的电气布线(electricalrouting)和更低的功耗。例如，裸片的垂直集成可以减小将堆叠式裸片连接至封装基板的面积。此外，在某些情况下，电信号的传导路径可包括垂直于至另一裸片的连接的部分，这可以减小电信号传播的距离。所减小的距离可以减小电阻，并且反过来可以降低功耗和传播延迟。

实用新型内容

本申请的实施例大致涉及用于切割裸片的技术以及涉及包括切割的裸片的堆叠式装置结构。本申请描述的各种切割工艺可以改善堆叠式装置结构的鲁棒性和可靠性。

本申请的一个实施例为一种结构。所述结构包括基板、附接到所述基板的第一裸片以及位于所述第一裸片和所述基板之间的封装物。所述第一裸片具有第一侧壁，所述第一侧壁具有至少一个第一凹痕。所述封装物被设置在所述第一凹痕中，并被粘合到所述第一凹痕的第一表面。

本申请的另一实施例为一种集成电路封装的方法。所述方法包括从第一工件切割第一裸片、将所述第一裸片附接到基板的第一区域以及在所述基板上形成封装物。切割所述第一裸片包括在第一切割线中从所述第一工件化学移除材料。所述封装物被进一步形成在所述第一区域和所述第一裸片之间，并被粘合到所述第一裸片的第一侧壁。

本申请的另一实施例为一种结构。所述结构包括基板、附接到所述基板的第一裸片以及位于所述第一裸片和所述基板之间的封装物。所述第一裸片具有第一侧壁以及沿着所述第一侧壁的第一衬垫。所述封装物被粘合到所述第一衬垫。

本申请的另一实施例为一种集成电路封装的方法。所述方法包括从第一工件切割第一裸片、将所述第一裸片附接到基板的第一区域以及在所述基板上形成封装物。切割所述第一裸片包括在第一切割线中机械切割所述第一工件，并沿着所述第一裸片的第一侧壁形成第一衬垫。通过机械切割所述第一工件形成所述第一裸片的第一侧壁。所述封装物被进一步形成在所述第一区域和所述第一裸片之间。所述封装物被粘合到所述第一衬垫。

本申请的另一实施例为一种结构，所述结构包括：基板；第一裸片，所述第一裸片具有第一侧壁，所述第一侧壁具有至少一个第一凹痕，所述第一裸片被附接至所述基板；以及封装物，所述封装物位于所述第一裸片与所述基板之间，所述封装物被设置在所述第一凹痕中并被粘合到所述第一凹痕的第一表面。

在某些实施方式中，所述第一侧壁是波状侧壁，所述第一凹痕是所述波状侧壁的凹形表面。

在某些实施方式中，所述第一侧壁是具有一个或多个凹口的垂直侧壁，所述至少一个第一凹痕是所述一个或多个凹口。