[实用新型]一种硅片存储系统有效
| 申请号： | 201822116715.X | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN209045517U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 周华军;王宏波;乔勇 | 申请（专利权）人： | 阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缓冲板 硅片 花篮 底部支撑杆 硅片存储 缓冲机构 驱动组件 传送组件 开口 太阳能电池生产 本实用新型 碎裂 刚性接触 缓冲力 减小 配置 送入 驱动 | ||
1.一种硅片存储系统，其特征在于，包括：
花篮(2)，所述花篮(2)包括设置于前侧的开口以及后侧的底部支撑杆(23)；
传送组件(3)，所述传送组件(3)被配置为将硅片(6)由所述开口送入所述花篮(2)内；及
缓冲机构，所述缓冲机构包括：
两个缓冲板(51)，所述缓冲板(51)设置于所述花篮(2)的后侧，且两个所述缓冲板(51)分别设置于所述底部支撑杆(23)相对的两侧；及
驱动组件，所述驱动组件分别与两个所述缓冲板(51)连接，所述驱动组件被配置为能够驱动两个所述缓冲板(51)朝向所述花篮(2)内部运动以相互靠近，并位于所述底部支撑杆(23)的前侧。
2.如权利要求1所述的硅片存储系统，其特征在于，所述缓冲板(51)由弹性材料制成。
3.如权利要求2所述的硅片存储系统，其特征在于，所述缓冲板(51)由硅胶制成。
4.如权利要求1所述的硅片存储系统，其特征在于，所述驱动组件包括气缸(52)，每个所述缓冲板(51)均连接有一个所述气缸(52)。
5.如权利要求1-4中任一项所述的硅片存储系统，其特征在于，两个所述缓冲板(51)相对的侧面分别设置有一避让槽(511)，当所述缓冲板(51)被配置为朝向所述花篮(2)内部运动时，所述避让槽(511)卡在所述花篮(2)的侧部支撑板(21)上。
6.如权利要求1-4中任一项所述的硅片存储系统，其特征在于，所述缓冲板(51)与所述底部支撑杆(23)沿前后方向的距离为3mm-5mm。
7.如权利要求6所述的硅片存储系统，其特征在于，所述缓冲板(51)的长度为580-600mm，宽度为38-40mm，厚度为8-10mm。
8.如权利要求1-4中任一项所述的硅片存储系统，其特征在于，所述硅片存储系统还包括：
收料台(1)，所述收料台(1)被配置为承载所述花篮(2)，所述缓冲机构设置于所述收料台(1)上。
9.如权利要求8所述的硅片存储系统，其特征在于，所述收料台(1)被配置为能够升降。
10.如权利要求8所述的硅片存储系统，其特征在于，所述硅片存储系统还包括：
送料组件(4)，所述送料组件(4)被配置为将所述花篮(2)输送至所述收料台(1)以及将所述花篮(2)由所述收料台(1)输出。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
