[实用新型]一种谐振滤波器芯片有效
| 申请号： | 201822122749.X | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN209233800U | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 王升旭;岳超;王志明;袁关东;王江;狄隽 | 申请（专利权）人： | 北京华航无线电测量研究所 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100013 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本实用新型 谐振滤波器 谐振单元 馈电线 输出 芯片 馈入滤波器 滤波器芯片 高集成度 雷达系统 微波能量 耦合通道 耦合 边耦合 装配 | ||
【权利要求书】：
1.一种谐振滤波器芯片，其特征在于，包括若干个谐振单元，和输入输出馈电线组成，
所述输入与输出馈电线是把微波能量馈入滤波器；输入与输出之间由谐振单元构成两条以上耦合通道，其中至少一条通道包含缝耦合，至少一条通道包含边耦合。
2.如权利要求1所述的一种谐振滤波器芯片，其特征在于所述谐振单元带有连续的边及一个缝而且是一种平面结构。
3.如权利要求1所述的一种谐振滤波器芯片，其特征在于所述谐振单元为“C”状或“B”状或“E”状或“M”状。
4.如权利要求1所述的一种谐振滤波器芯片，其特征在于所述谐振单元几何结构上是一致的。
5.如权利要求1所述的一种谐振滤波器芯片，其特征在于调整所述耦合通道的线或缝间距来调整其耦合的强度。
6.如权利要求1所述的一种谐振滤波器芯片，其特征在于利用砷化镓半导体工艺制作。
7.如权利要求6所述的一种谐振滤波器芯片，其特征在于所述谐振单元利用砷化镓半导体工艺中最上层金属。
8.如权利要求7所述的一种谐振滤波器芯片，其特征在于所述最上层金属为金。
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