[实用新型]一种谐振滤波器芯片

说明书

本实用新型一种谐振滤波器芯片，包括若干个谐振单元，和输入输出馈电线组成，所述输入与输出馈电线是把微波能量馈入滤波器；输入与输出之间由谐振单元构成两条以上耦合通道，其中至少一条通道包含缝耦合，至少一条通道包含边耦合。本实用新型实现滤波器芯片小型化、便于装配和集成，适用于小型化、高集成度的雷达系统。

技术领域

本实用新型涉及集成电路，具体涉及一种平面交叉耦合谐振滤波器设计方法。

背景技术

目前实现滤波器的通常的方式为微机电加工技术(MEMS)滤波器、低温共烧陶瓷技术(LTCC)滤波器。MEMS滤波器采用的微带线或者金属孔腔体的结构形式，由于MEMS 通常采用的材料是高阻硅，这种材料的介电常数是10左右。而LTCC滤波器采用的介质是陶瓷材料，介电常数在9.7左右。这两种材料在20GHz实现滤波器时，滤波器芯片的体积仍然比较大，滤波器芯片的高度相对于微波系统中常用的GaAs(砷化镓半导体)工艺芯片，还比较高。由于芯片的高度差，因此在微波系统中不利于用同种键合工艺装配集成。

而且MEMS工艺与LTCC工艺都无法同GaAs工艺集成，GaAs工艺用于实现微波链路中放大混频等功能，不利于提高系统的集成程度。而采用GaAs工艺中的集总元件实现滤波器时，在20GHz以上时，集总元件的寄生参数太大，无法得到比较好的滤波器通带形式。

实用新型内容

针对现有滤波器芯片在微波系统不利于装配集成，以及同GaAs工艺集成化低等问题，本实用新型提出一种片上交叉耦合谐振滤波器芯片，实现滤波器芯片小型化、便于装配和集成，适用于小型化、高集成度的雷达系统。

本实用新型一种谐振滤波器芯片，包括若干个谐振单元，和输入输出馈电线组成，

所述输入与输出馈电线是把微波能量馈入滤波器；输入与输出之间由谐振单元构成两条以上耦合通道，其中至少一条通道包含缝耦合，至少一条通道包含边耦合。

进一步，所述谐振单元带有连续的边及一个缝而且是一种平面结构。

进一步，所述谐振单元为“C”状或“B”状或“E”状或“M”状。

进一步，所述谐振单元几何结构上是一致的。

进一步，调整所述耦合单元的线或缝间距来调整其耦合的强度。

进一步，利用砷化镓半导体工艺制作。

进一步，所述谐振单元利用砷化镓半导体工艺中最上层金属。

进一步，所述最上层金属为金。

本实用新型技术效果如下：

采用片上交叉耦合谐振滤波器设计方法后，可以实现20GHz以上高Q值的基于GaAs工艺的带通滤波器，这种滤波器具备体积小，同GaAs裸芯片键合工艺相匹配，有利于实现放大器与滤波器的集成，具体一致性好，集成度高的优点。

附图说明

图1：本实用新型四个谐振单元构成的原理图

图2：本实用新型谐振单元为C型的版图

图3(a)：本实用新型谐振单元为E型的版图

图3(b)：本实用新型谐振单元为B型的版图

图3(c)：本实用新型谐振单元为M型的版图

图4(a)：本实用新型六个谐振单元构成的原理图

图4(b)：本实用新型八个谐振单元构成的原理图

具体实施方式

下面结合附图及较佳实施例详细说明本实用新型的具体实施方式。