[实用新型]具有FOWBCSP晶片型态的封装结构有效

专利信息
申请号: 201822138996.9 申请日: 2018-12-19
公开(公告)号: CN209232762U 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 陈石矶 申请(专利权)人: 陈石矶
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L25/18;H01L21/683;H01L21/56;H01L23/488
代理公司: 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 代理人: 郑玉洁
地址: 中国台湾台北市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基板 封装结构 晶片 板孔 晶片型 穿透的 应用胶 侧边 接球 密封
【说明书】:

一种具有FOWBCSP晶片型态的封装结构,该封装结构包括一晶片,其上方包括接点;一第一封装结构位在该晶片下方与侧边;一基板置于该晶片的上方,其中该基板对应该晶片的接点的位置则形成穿透的板孔,而该基板的上方形成接点;由导线经过基板的板孔连接该基板的接点及该晶片的接点;其中该基板的各板孔分别形成一第二封装结构应用胶材密封该板孔而形成,并且该基板上方的接点具有导接球。

技术领域

实用新型有关于半导体封装结构,尤其涉及一种具有FOWBCSP晶片型态的封装结构及其制造方法。

背景技术

现有技术的半导体晶片封装结构中,将晶片的接点置于上方,基板的接点也置于上方,然后再应用裸露的导线应用晶片的接点连接基板的接点。另外基板上则形成贯穿孔以填注导电材料,使得基板的接点晶由该填注有导电材料的贯穿孔而导引到基板的下方。然后电路板则位在该基板的下方,使得该电路板上的接点与基板的接点相连接,整体上达成电连接的目的。

封装时,则必须把晶片及基板完全包覆连接,所以必须封装一较大的区域以避免导线裸露在外,所以封装的成本较高且时间也较长。

另外基板上必须形成多个贯穿孔分别灌注导电材料,这些贯穿孔必须分别形成,彼此不可互相连通以避免短路,所以制造上相当耗时、耗工,也增加了整体的制造成本。

故本实用新型希望提出一种崭新的具有FOWBCSP(Fan out wafer bonding chipscale package,即扇出型晶片打线晶粒尺寸封装)晶片型态的封装结构及其制造方法,以解决上述现有技术上的缺陷。

实用新型内容

所以本实用新型的目的为解决上述现有技术上的问题,本实用新型中提出一种具有FOWBCSP晶片型态的封装结构及其制造方法,其优点为在基板上只需要形成少数个板孔,而使得多个导线同时通过一板孔,不若传统的结构必须形成多个板孔,所以制造期间缩短而且成本也降低。再者本实用新型在封装时仅需要对有可能裸露导线的少数区域进行封装,而不必像传统的结构及封装的区域片在整个晶片及基板的上方,所以本实用新型的封装方式可以节省成本及工时。再者因为导线的长度较短而且大部分隐藏在板孔内部,所以不至于造成导线裸露,而导致其他危害的问题。

为达到上述目的本实用新型中提出一种具有FOWBCSP晶片型态的封装结构,包括:一晶片,该晶片的上方包括接点;一第一封装结构位在该晶片下方与侧边;一基板置于该晶片的上方,其中该基板对应该晶片的接点的位置则形成穿透的板孔,而该基板的上方形成接点;由导线经过基板的板孔连接该基板的接点及该晶片的接点;以及其中该基板的各板孔分别形成一第二封装结构应用胶材密封该板孔而形成,并且该基板上方的接点具有导接球。

优选的,该基板内部下方形成镂空区域,并且该镂空区域安装至少一内晶片,该内晶片的下方的接点通过导线连接镂空区域内壁面的该基板的内接点,其中该内接点贯穿该基板本身而裸露于该基板的上方;并由封装材料封装该镂空区域。

优选的,还包括:两个挡堤;其中该晶片为CMOS晶片;该CMOS晶片上方还包括一光感测区;该基板的该穿透的板孔对应该CMOS晶片的接点及光感测区的位置;其中该两个挡堤位于该CMOS晶片的该光感测区的上方的两侧;一玻璃置于该两个挡堤的间;以及

其中该第二封装结构并不覆盖该玻璃,使得该玻璃外露,以便外部的光线能够直接通过该玻璃照射该CMOS晶片。

进一步优选的,该导接球为锡球或焊球。

优选的,其中该晶片为MCU晶片或逻辑晶片。

优选的,还包括一电路板,其位于该基板的上方,其中通过该电路板上的接点用于接引该基板上方的接点以形成电连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈石矶,未经陈石矶许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822138996.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top