[实用新型]一种双面抛光机

说明书

本实用新型涉及抛光技术领域，尤其涉及一种双面抛光机，包括抛光机本体和抛光液供给装置，抛光液供给装置包括控制阀、抛光液箱和抛光液管路，抛光液管路包括出液管路与多条输液管路，输液管路一端与抛光液箱连接，输液管路另一端与控制阀连接，出液管路一端与控制阀连接，出液管路另一端设置于抛光机本体上。本实用新型在抛光机本体上设置抛光液供给装置，在抛光液供给装置的抛光液管路上加装控制阀，抛光液箱中装入不同种的抛光液，分别通过不同的输液管路输出，控制阀控制输液管路向出液管路输出的抛光液种类，以适应抛光机本体对工件表面进行表面粗糙度不同程度改变的抛光，极大地节省了设备成本以及工件在多台抛光机之间的传送时间。

技术领域

本实用新型涉及抛光技术领域，尤其涉及一种双面抛光机。

背景技术

砷化镓(GaAs)材料与传统的硅半导体材料相比，它具电子迁移率高、禁带宽度大、直接带隙、消耗功率低等特性，电子迁移率约为硅材料的5.7倍。因此，广泛应用于高频及无线通讯中制做IC器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于无线通信、光纤通信、移动通信、GPS全球导航等领域。除在I C产品应用以外，砷化镓材料也可加入其它元素改变其能带结构使其产生光电效应，制成半导体发光器件，还可以制作砷化镓太阳能电池。

在这些应用中都不可避免地要用到开盒即用(epi-ready)砷化镓衬底，其通常的加工方法是：把高纯单质砷和镓合成砷化镓单晶(一般为圆形晶棒)，依次经过晶棒加工、切片、磨边、腐蚀、粗抛、精抛、清洗、洁净包装，得到开盒即用的砷化镓衬底，其中，在衬底抛光过程中一般都会先进行粗抛，去掉前道工序所造成的表面损伤层，并且使衬底表面的粗糙度降低到0.3nm左右，再进行精抛，以进一步降低表面粗糙度到0.2nm左右，达到外延要求。

目前，在砷化镓单面抛光过程中，粗抛和精抛是分别在2台抛光机上完成的，这2台抛光机的结构功能一样，区别是使用的抛光垫(pad)硬度以及抛光液(slurry)中二氧化硅颗粒的粒径不一样，以达到即能较快地去除衬底表面的损伤层，又能使衬底表面的粗糙度较低(镜面)的要求，但这样也极大地增加了生产成本，降低了生产效率。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是对于工件的不同表面粗糙度要求的抛光需分别在不同的抛光加工设备上进行，从而增加生产成本，降低生产效率的问题。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种双面抛光机，包括抛光机本体和抛光液供给装置，所述抛光液供给装置包括控制阀、抛光液箱和抛光液管路，所述抛光液管路包括出液管路与多条输液管路，所述输液管路一端与所述抛光液箱连接，另一端与所述控制阀连接，所述出液管路一端与所述控制阀连接，另一端设置于所述抛光机本体上。

其中，所述输液管路包括粗抛抛光液管与精抛抛光液管。

其中，所述控制阀为三通电磁阀。

其中，所述抛光机主体包括上抛光盘和下抛光盘，所述上抛光盘表面设置精抛抛光垫，所述下抛光盘表面设置粗抛抛光垫。

其中，选用邵氏硬度为30-50的精抛抛光垫。

其中，选用邵氏硬度为70-90的粗抛抛光垫。

其中，所述抛光机本体包括承载盘，所述承载盘上设有吸附垫，所述吸附垫上具有放置工件的凹槽。

其中，所述凹槽的深度为所述工件的厚度的60％。

其中，所述承载盘为陶瓷盘。

(三)有益效果