[实用新型]埋入式芯片有效
| 申请号： | 201822165577.4 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN209232763U | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 黄立湘;缪桦 | 申请（专利权）人： | 深南电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56;H01L23/48;H01L23/498;H01L23/528 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 袁江龙 |
| 地址： | 518000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电凸台 导电基 连接端子 埋入式芯片 导电盲孔 电连接 裸芯 扇出 介质层 绝缘层 顶部设置 机械打孔 相对设置 封装体 导电 底面 顶面 击穿 打通 激光 震动 申请 | ||
1.一种埋入式芯片，其特征在于，所述埋入式芯片包括：
导电基底；
导电凸台，设置在所述导电基底上；
裸芯，设置在所述导电基底上，所述裸芯包括相对设置的顶面和底面，所述底面上设置连接端子，所述连接端子与所述导电基底电连接；
介质层，设置在所述裸芯和所述导电凸台上，所述介质层在所述导电凸台的顶部设置有导电盲孔；
扇出端子，设置在导电盲孔中，并与所述导电凸台电连接，所述导电凸台的底部通过导电基底与所述连接端子电连接，以使所述连接端子通过导电凸台和所述扇出端子扇出。
2.根据权利要求1所述的埋入式芯片，其特征在于，所述导电凸台和所述裸芯间隔设置。
3.根据权利要求1所述的埋入式芯片，其特征在于，所述导电凸台的数量与所述连接端子的数量相同，且一一对应。
4.根据权利要求3所述的埋入式芯片，其特征在于，所述导电凸台与所述连接端子均为一个，所述导电基底为单层的金属板。
5.根据权利要求3所述的埋入式芯片，其特征在于，所述导电凸台和所述连接端子均包括至少两个。
6.根据权利要求3所述的埋入式芯片，其特征在于，所述导电基底设置有导线，所述导线能够将所述连接端子与对应的所述导电凸台电连接。
7.根据权利要求6所述的埋入式芯片，其特征在于，所述导电基底包括依次层叠的第一导电层、绝缘层和第二导电层；
所述导电凸台和所述裸芯设置在所述第一导电层上，所述第一导电层具有所述导线能够将所述连接端子与对应的所述导电凸台电连接。
8.根据权利要求1所述的埋入式芯片，其特征在于，在所述导电基底对应所述连接端子的位置设置连接层，所述连接端子通过连接层与所述导电基底电连接。
9.根据权利要求8所述的埋入式芯片，其特征在于，所述连接层的数量与所述连接端子的数量相同，且一一对应。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深南电路股份有限公司，未经深南电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822165577.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有FOWBCSP晶片型态的封装结构
- 下一篇：一种二极管的三脚封装结构
