[实用新型]埋入式芯片

说明书

本申请提供一种埋入式芯片。埋入式芯片包括：导电基底；导电凸台，设置在导电基底上；裸芯，设置在导电基底上，裸芯包括相对设置的顶面和底面，底面上设置连接端子，连接端子与导电基底电连接；介质层，设置在裸芯和导电凸台上，介质层在导电凸台的顶部设置有导电盲孔；扇出端子，设置在导电盲孔中，并与导电凸台电连接，导电凸台的底部通过导电基底与连接端子电连接，以使连接端子通过导电凸台和扇出端子扇出。由此，需要开设的导电盲孔的厚度不需要太厚，仅需要打通第一绝缘层到导电凸台之间的距离即可，简化工艺，避免较厚的封装体使得激光无法击穿的情况，也可避免机械打孔带来的大震动以及低精度的问题。

技术领域

本申请涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种埋入式芯片。

背景技术

随着电子产品高频高速需求的发展，传统的打线封装和倒装封装互联方式难以满足高频高速信号传输的需求，因此越来越多芯片采用基板内埋入或者晶圆级的扇出工艺实现裸芯片封装，减小封装互联尺寸而实现芯片高频高速传输对信号完整性的需求。但现有技术的埋入式封装方案在芯片的连接端子与其扇出的位置不在同一侧时，连接端子的扇出工艺将非常复杂。

实用新型内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种埋入式芯片，能够简化连接端子扇出的工艺。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种埋入式芯片，埋入式芯片包括：导电基底；导电凸台，设置在所述导电基底上；裸芯，设置在所述导电基底上，所述裸芯包括相对设置的顶面和底面，所述底面上设置连接端子，所述连接端子与所述导电基底电连接；介质层，设置在所述裸芯和所述导电凸台上，所述介质层在所述导电凸台的顶部设置有导电盲孔；扇出端子，设置在导电盲孔中，并与所述导电凸台电连接，所述导电凸台的底部通过导电基底与所述连接端子电连接，以使所述连接端子通过导电凸台和所述扇出端子扇出。

本申请在导电基底上设置导电凸台和裸芯，绝缘层在对应导电凸台的顶部开设有导电盲孔，导电盲孔中设置有与导电凸台电连接的扇出端子，裸芯底面上的连接端子可通过导电基底与导电凸台电连接，进而通过导电凸台和扇出端子扇出到绝缘层外。由此需要开设的导电盲孔的厚度仅为导电凸台顶部对应的绝缘层的厚度，不需要太厚，可简化工艺，避免较厚的封装体使得激光无法击穿的情况，也可避免机械打孔带来的大震动以及低精度的问题。

附图说明

图1是本申请实施例提供的一种埋入式芯片的制造方法的流程示意图；

图2是本申请实施例提供的另一种埋入式芯片的制造方法的流程示意图；

图3a是对应图2所示的步骤S10的一种工艺流程示意图；

图3b是对应图2所示的步骤S10的另一种工艺流程示意图；

图3c是对应图2所示的步骤S10的又一种工艺流程示意图；

图4是对应图2所示的步骤S20的工艺流程示意图；

图5是对应图2所示的步骤S30的工艺流程示意图；

图6是对应图2所示的步骤S40的工艺流程示意图；

图7是对应图2所示的步骤S50的工艺流程示意图以及本申请实施例的一种埋入式芯片的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的另一种埋入式芯片的结构示意图；

图9是本申请实施例提供的又一种埋入式芯片的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，以下所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。