[实用新型]一种真空镀膜装置有效
申请号: | 201822177296.0 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN210012892U | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 申屠江民;祝宇;龚阳 | 申请(专利权)人: | 浙江莱宝科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 321016 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 靶材 靶罩 腔体 真空镀膜装置 立方体空间 真空镀膜 磁钢 挡块 旋钮 开口 本实用新型 膜层均匀性 真空镀膜腔 厚度均匀 灵活调整 内部挡块 腔体构造 外部连接 门型 膜层 内壁 外壁 投影 把手 侧面 外部 覆盖 | ||
本实用新型提供一种膜层厚度均匀的真空镀膜装置,包括真空镀膜的腔体、磁钢、靶材、靶罩与基片,所述腔体构造出一立方体空间,所述靶材、靶罩与基片均设置于所述立方体空间内,所述磁钢设置于所述腔体的外壁上,所述靶材设置于所述腔体的内壁上,所述靶罩设置于所靶材上方和侧面,形成一门型,将所述靶材覆盖于所述靶罩内,同时在靶罩的上方设有一开口,所述开口与靶材在腔体上的投影相一致,所述基片设置于所述靶材上方50‑100mm的范围内。在靶罩上设置有挡块,所述挡块外部连接有一旋钮,所述旋钮上设有一把手,所述把手位于真空镀膜腔体外部。在真空镀膜工作条件下,可以灵活调整真空镀膜装置内部挡块结构,进而满足膜层均匀性要求。
技术领域
本实用新型属于真空镀膜领域,尤其涉及一种膜层厚度均匀性的真空镀膜装置。
背景技术
真空镀膜是平板显示用透明导电玻璃制备的主流技术,通过磁场与电场的交互作用,把二次电子束缚在靶表面特定区域来增强惰性工艺气体的电离效率,增加离子密度和能量,所产生的离子在电场作用下轰击靶面实现靶材的溅射,从而在基片上实现靶材的高速率成膜,被广泛应用于制备金属、半导体、绝缘体等多种材料的溅射成膜制备。
随着平板显示行业的发展和人类生活水平的提高,人们对显示技术和显示产品的要求也不断提高,平板显示器件及相关零组件也不断向轻、薄、节能、高精度等方向发展,对平板显示器器件和相关零组件生产设备、产品的精度和性能要求也越来越高,因此对应用于平板显示器件的透明导电玻璃的精度和性能要求也是越来越高,膜厚均匀性的精度控制就是其中重要的一个指标。
对于透明导电玻璃的膜厚均匀性不良,主要体现在如下方面:⑴单片产品的膜厚均匀性偏差,即在单片玻璃表面上的膜厚均匀性偏差;⑵同一批产品的膜厚均匀性偏差;⑶同一规格产品,不同批次产品的膜厚均匀性偏差。膜厚均匀性偏差,不仅会造成平板显示模组生产过程中蚀刻加工时间的差异,甚至会引起膜层蚀刻不净或过度蚀刻,从而产生引线电极的短路或断路缺陷,造成不良品。对于低电阻的透明导电玻璃产品而言,由于薄膜的膜厚到了一定的程度,膜厚的均匀性差异表现出不同的反射光颜色,即视觉色差,这会造成平板显示模组底色的显示差异,这是不允许出现的。
在透明导电玻璃的生产过程中,由于靶材使用周期的不同,靶材表面的形貌会产生较大的变化;由于生产产品的规格不同导致的使用电源的功率不同,靶材在纵向上的溅射速率会有所差异,上述原因会引起膜厚均匀性的变化。对于膜厚均匀性的变化,如图1所示,一般都是通过在靶罩1的开口11处设置固定均匀性挡块6调整来实现,但这种调整只能在大气状态下进行,即只能在停机状态下进行。一旦进入真空镀膜生产状态,就无法实现调整,且挡块6固定形状,有时调整了挡块6以后,再进行真空镀膜还会出现膜层均匀性问题,便需要继续停机调整挡块6。对透明导电玻璃的低电阻产品而言,经常出现膜厚均匀性偏差大,造成视觉色差偏差大,会导致无法正常生产,只能停机进行调整,严重增大劳动成本,影响生产效率。
针对上述生产中存在的上述问题,尤其是应用于低电阻、高品质ITO或者金属靶材的镀膜成膜工序中,膜层均匀性要求很高。很有必要设计一种真空镀膜装置,在不停机的情况下,实现大气状态下对真空镀膜均匀性进行调整,保证透明导电玻璃镀膜产品的膜厚均匀性,降低劳动成本,提高生产效率。
实用新型内容
为了解决真空镀膜条件下,膜层均匀性偏差,无法在真空工作条件下进行调整的问题,本实用新型提供一种真空镀膜工作条件下,可以灵活调整真空镀膜装置内部挡块结构,进而满足膜层均匀性要求的真空镀膜装置。
本实用新型提出一种真空镀膜装置,包括真空镀膜的腔体、磁钢、靶材、靶罩与基片,所述腔体构造出一立方体空间,所述靶材、靶罩与基片均设置于所述立方体空间内,所述磁钢设置于所述腔体的外壁上,所述靶材设置于所述腔体的内壁上,所述靶罩设置于所靶材上方和侧面,形成一门型,将所述靶材覆盖于所述靶罩内,同时在靶罩的上方设有一开口,所述开口与靶材在腔体上的投影相一致,所述基片设置于所述靶材上方50-100mm的范围内。
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