[实用新型]一种适用于12位流水线ADC中的新型运算放大电路有效
申请号: | 201822179875.9 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN209593406U | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 许洪海;任明远;王瑶 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | H03M1/12 | 分类号: | H03M1/12;H03M1/46;H03F3/45 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运算放大电路 流水线ADC 负载电容 输出电压 输入电压 耦合电容 开关控制电路 本实用新型 模数转换器 充电状态 第一开关 电路结构 电源抑制 工作效率 共模电压 共模抑制 互相耦合 降低功耗 降低噪声 电流源 电路 芯片 改良 | ||
1.一种适用于12位流水线ADC中的新型运算放大电路(104),其特征在于:包括PMOS管M1,PMOS管M2, PMOS管M3,PMOS管M4,NMOS管M5,NMOS管M6,NMOS管M7,NMOS管M8,耦合电容Cin1,耦合电容Cin2,负载电容CL1,负载电容CL2,电流源Ib,输入电压Vin+,输入电压Vin-,共模电压Vcm,输出电压Vo+,输出电压Vo-,第一开关s1,第二开关s2,第三开关s3,第四开关s4,第五开关s5,第六开关s6,第七开关s7,第八开关s8,第九开关s9,第十开关s10,第十一开关s11以及第十二开关s12。
2.根据权利要求1所述的新型运算放大电路(104),其特征在于:互相耦合的电容电路结构包括PMOS管M1, 耦合电容Cin1,耦合电容Cin2,第一开关s1,第二开关s2,第五开关s5,第六开关s6,其中,第一开关s1和第二开关s2的两端分别连在PMOS管M1的漏极和耦合电容Cin1,耦合电容Cin2的上极板,第五开关s5和第六开关s6的两端分别连在地和耦合电容Cin1,耦合电容Cin2的下极板。
3.根据权利要求1所述的新型运算放大电路(104),其特征在于:互相耦合的电阻作负载的电路结构包括PMOS管M3,PMOS管M4,NMOS管M5,NMOS管M6,NMOS管M7,NMOS管M8,第七开关s7,第八开关s8,第九开关s9,第十开关s10,其中,PMOS管M3,PMOS管M4作为差分输入管,PMOS管M3的源极连在第七开关s7的一端,栅极与Vin+相连,漏极分别与NMOS管M7的漏极和栅极,NMOS管M5的漏极以及NMOS管M6的栅极相连,PMOS管M4的源极连在第八开关s8的一端,栅极与输出电压Vin-相连,漏极分别NMOS管M8的漏极和栅极,NMOS管M6的漏极以及NMOS管M5的栅极相连;PMOS管M5的源极连在第九开关s9的一端,PMOS管M7的源极连在第九开关s9的另一端,PMOS管M6的源极连在第十开关s10的一端,PMOS管M8的源极连在第十开关s10的另一端。
4.根据权利要求1所述的新型运算放大电路(104),其特征在于:时钟相Φ1对应电路处于充电状态,时钟相Φ1控制第一开关s1到第六开关s6闭合,第七开关s7到第十二开关s12断开,包括PMOS管M1,PMOS管M2,两个耦合电容Cin1和Cin2,两个负载电容CL1和CL2,共模电压Vcm,其中,PMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极,漏极以及电流源Ib的一端相连,源极连VDD,漏极分别连在两个耦合电容Cin1和Cin2的上极板上,两个耦合电容Cin1和Cin2的下极板都连地,PMOS管M2的源极与VDD相连,两个负载电容CL1和CL2的上极板分别与共模电压Vcm相连,下极板连地,电流源的另一端连地。
5.根据权利要求1所述的新型运算放大电路(104),其特征在于:时钟相Φ2对应电路处于放大状态,时钟相Φ2控制开关s1到开关s6断开,开关s7到开关s12闭合,包括PMOS管M3,PMOS管M4,NMOS管M5,NMOS管M6,NMOS管M7,NMOS管M8,耦合电容Cin1,耦合电容Cin2,负载电容CL1,负载电容CL2,输入电压Vin+,输入电压Vin-,输出电压Vo+,输出电压Vo-,其中,PMOS管M3的栅极与Vin+相连,源极与耦合电容Cin2的上极板相连,漏极分别与负载电容CL1的上极板,输出电压Vo-,NMOS管M7的漏极和栅极,NMOS管M5的漏极以及NMOS管M6的栅极相连,PMOS管M4的栅极与输出电压Vin-相连,源极与耦合电容Cin1的上极板相连,漏极分别与负载电容CL2的上极板,输出电压Vo+,NMOS管M8的漏极和栅极,NMOS管M6的漏极以及NMOS管M5的栅极相连,耦合电容Cin1的下极板分别与NMOS管M7, NMOS管M5的源极相连,耦合电容Cin2的下极板分别与NMOS管M6, NMOS管M8的源极相连。
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