[实用新型]正入射式共面电极光电芯片及其封装结构

权利要求书

1.一种正入射式共面电极光电芯片，其特征在于：包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层，所述缓冲层位于所述衬底与所述吸收层之间，所述顶层位于所述吸收层与所述缓冲层相背的一表面，所述顶层相对所述衬底更靠近所述芯片的正面；

所述芯片上开设主光槽，所述主光槽向所述芯片的任一表面方向开口并贯穿所述吸收层；所述顶层内设有光敏区，所述光敏区的内端与所述吸收层相连接；

所述芯片的正面上还设有收光区和相互绝缘设置的第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述收光区的外侧，所述第一电极与所述光敏区的外端相连接，所述第二电极与所述缓冲层相连接；

以所述芯片的正面为入光侧，所述主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分从所述收光区进入到所述吸收层内进行光电转换。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述收光区与所述光敏区有重叠区域。

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述主光槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述顶层，所述主光槽的内端位于所述缓冲层。

4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片上还开设电极安装槽，所述电极安装槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述顶层和所述吸收层，所述第二电极设于所述电极安装槽内。

5.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于：所述收光区内设有入光增透膜，所述主光槽的内端设有透光增透膜。

6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片的背面设有出光增透膜，所述出光增透膜的面积大于所述主光槽沿平行于所述芯片表面方向的横截面积。

7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于：所述芯片的背面还设有反光层，所述反光层上开设有用于设置所述出光增透膜的出光增透膜孔，所述反光层有反光材料制成。

8.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于：所述光敏区沿平行于所述芯片表面方向的横截面呈环形并围绕所述主光槽设置，所述收光区呈环形并围绕所述主光槽设置，所述第一电极沿平行于所述芯片表面方向的横截面呈环形并围绕所述收光区设置。

9.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片的正面上还设有电极焊盘，所述电极焊盘位于所述芯片的边缘并与所述第一电极电连接。

10.一种正入射式共面电极光电芯片的封装结构，其特征在于：包括管壳和正入射式共面电极光电芯片，所述正入射式共面电极光电芯片为权利要求1-9任一所述的芯片，所述芯片设于所述管壳内；所述管壳上还连接有第一光纤接口和第二光纤接口，所述第一光纤接口和所述第二光纤接口分别位于所述芯片的正面和背面。