[实用新型]正入射式共面电极光电芯片及其封装结构

说明书

本实用新型涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射式共面电极光电芯片及其封装结构；一种正入射式共面电极光电芯片包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层；芯片上开设主光槽，主光槽贯穿吸收层；顶层内设有光敏区；芯片的正面上还设有收光区和相互绝缘设置的第一电极和第二电极，第一电极位于收光区的外侧，第一电极与光敏区的外端相连接，第二电极与缓冲层相连接；以芯片的正面为入光侧，主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分从收光区进入到吸收层内进行光电转换；故本实用新型提供的正入射式共面电极光电芯片既能够分光，又能够对入射光的光功率进行监控；进而使用本实用新型提供的芯片的光路系统，无须使用光分路器进行分光。

技术领域

本实用新型涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射式共面电极光电芯片及其封装结构。

背景技术

激光器发射的光信号经光纤传输进入无源光波导(PLC)之前，通常需要光分路器分出部分(例如5％)光信号到另外的光接收芯片上，进行光功率监控。剩余(例如95％)的光信号通过光纤耦合到光波导，进行传输。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提供一种正入射式共面电极光电芯片及其封装结构，该芯片既能够实现分光，又能够实现光功率的监控。

为了实现上述技术问题，本实用新型提供了一种正入射式共面电极光电芯片，包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层，所述缓冲层位于所述衬底与所述吸收层之间，所述顶层位于所述吸收层与所述缓冲层相背的一表面，所述顶层相对所述衬底更靠近所述芯片的正面；

所述芯片上开设主光槽，所述主光槽向所述芯片的任一表面方向开口并贯穿所述吸收层；所述顶层内设有光敏区，所述光敏区的内端与所述吸收层相连接；

所述芯片的正面上还设有收光区和相互绝缘设置的第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述收光区的外侧，所述第一电极与所述光敏区的外端相连接，所述第二电极与所述缓冲层相连接；

以所述芯片的正面为入光侧，所述主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分从所述收光区进入到所述吸收层内进行光电转换。

本实用新型提供的正入射式共面电极光电芯片设置了主光槽，主光槽贯穿吸收层。芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极。入射光从芯片正面的一侧射入芯片，一部分光从主光槽射出，因为这部分光可通过主光槽未经过吸收层而无损穿过芯片，继续进行光信号传输；而另一部分光就会从收光区进入到吸收层内进行光电转换，产生光生载流子，从而对入射光的光功率进行有效监控。故本实用新型提供的正入射式共面电极光电芯片既能够分光，又能够对入射光的光功率进行监控。进而使用本实用新型提供的芯片的光路系统，无须使用光分路器进行分光，减少了系统体积，也降低了成本。而且本实用新型提供的正入射式共面电极光电芯片的第一电极和第二电极均设于芯片的同一表面，可将第一电极和第二电极分别通过焊线的方式电连接至同一电路板，再通过电路板电连接至电源的两极，安装简单、方便。

进一步地，所述收光区与所述光敏区有重叠区域。

进一步地，所述主光槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述顶层，所述主光槽的内端位于所述缓冲层。

进一步地，所述芯片上还开设电极安装槽，所述电极安装槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述顶层和所述吸收层，所述第二电极设于所述电极安装槽内。

进一步地，所述收光区内设有入光增透膜，所述主光槽的内端设有透光增透膜。

进一步地，所述芯片的背面设有出光增透膜，所述出光增透膜的面积大于所述主光槽沿平行于所述芯片表面方向的横截面积。

进一步地，所述芯片的背面还设有反光层，所述反光层上开设有用于设置所述出光增透膜的出光增透膜孔，所述反光层有反光材料制成。