[实用新型]发光元件有效
申请号: | 201822194164.9 | 申请日: | 2016-05-03 |
公开(公告)号: | CN209729940U | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 金艺瑟;金京完;吴尚炫;徐德壹;禹尚沅;金智惠 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/24;H01L33/44;H01L33/32;H01L33/62;H01L33/38;H01L33/42 |
代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 孙昌浩;李盛泉<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流阻挡层 导电型半导体层 焊盘 第二电极 透明电极 开口部 延伸部 活性层 本实用新型 第一电极 发光元件 局部位置 电连接 相隔 侧面 暴露 覆盖 延伸 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,包括:
第一导电型半导体层;
活性层,位于所述第一导电型半导体层上;
第二导电型半导体层,位于所述活性层上;
电流阻挡层,位于所述第二导电型半导体层上的局部位置;
透明电极,覆盖所述电流阻挡层,具有暴露所述电流阻挡层的开口部;
第一电极焊盘,电连接于所述第一导电型半导体层;
第二电极焊盘,位于所述电流阻挡层上,且位于所述透明电极的开口部上;
第二电极延伸部,从所述第二电极焊盘延伸,且位于所述透明电极上,
所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层,
所述透明电极的开口部的侧面与所述焊盘电流阻挡层相隔。
2.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述第二导电型半导体层的一部分在所述电流阻挡层和所述透明电极之间由于所述透明电极的开口部而暴露。
3.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述透明电极包括从所述开口部的侧面凸出的至少一个凸出部,所述凸出部的至少一部分位于所述第二电极焊盘和所述电流阻挡层之间。
4.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,还包括:
台面,位于所述第一导电型半导体层上,
所述台面包括所述活性层及第二导电型半导体层,
所述台面包括在其侧面形成的至少一个的凹槽,第一导电型半导体层的一部分通过所述凹槽被暴露。
5.如权利要求4所述的发光元件,其特征在于,还包括:
绝缘层,位于所述台面的局部位置上;以及
第一电极延伸部,从所述第一电极焊盘延伸,
所述第一电极焊盘位于所述绝缘层上。
6.如权利要求5所述的发光元件,其特征在于,
所述绝缘层覆盖所述凹槽的侧面的至少一部分,
所述第一电极延伸部包括通过所述凹槽与所述第一导电型半导体层接触的延伸部接触部分。
7.如权利要求6所述的发光元件,其特征在于,
所述绝缘层覆盖暴露于所述凹槽的活性层的侧面。
8.如权利要求7所述的发光元件,其特征在于,
所述绝缘层还覆盖所述凹槽上部的周围。
9.如权利要求6所述的发光元件,其特征在于,
所述绝缘层与所述透明电极相隔。
10.如权利要求4所述的发光元件,其特征在于,
所述至少一个凹槽包括彼此相隔的多个凹槽,所述多个凹槽位于所述发光元件的一侧面。
11.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述第一电极焊盘包括与所述第一导电型半导体层接触的焊盘接触部分。
12.如权利要求11所述的发光元件,其特征在于,
所述焊盘接触部分位于所述发光元件的一侧面。
13.如权利要求5所述的发光元件,其特征在于,
所述绝缘层包括覆盖所述第一电极焊盘周围的台面侧面的至少一个扩张部。
14.如权利要求4所述的发光元件,其特征在于,
至少一个的所述凹槽具有圆弧形态的平面形状。
15.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述延伸部电流阻挡层具有比所述第二电极延伸部宽的宽度,
所述透明电极将所述延伸部电流阻挡层全部覆盖。
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