[实用新型]发光元件

说明书

根据本实用新型的一实施例的发光元件包括：第一导电型半导体层；活性层，位于所述第一导电型半导体层上；第二导电型半导体层，位于所述活性层上；电流阻挡层，位于所述第二导电型半导体层上的局部位置；透明电极，覆盖所述电流阻挡层，具有暴露所述电流阻挡层的开口部；第一电极焊盘，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极焊盘，位于所述电流阻挡层上，且位于所述透明电极的开口部上；第二电极延伸部，从所述第二电极焊盘延伸，且位于所述透明电极上，所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层，所述透明电极的开口部的侧面与所述焊盘电流阻挡层相隔。

本申请是申请日为2016年05月03日，申请号为201690001029.4，实用新型名称为“发光元件”的实用新型专利申请的分案申请。

技术领域

本实用新型涉及一种发光元件，尤其涉及一种包括电极的发光元件。

背景技术

在利用氮化物系半导体的发光元件中，氮化物系p型半导体层的导电性相对低于n型半导体层。因此，电流在p型半导体层无法向水平方向有效地分散，从而发生电流集中于半导体层的特定部分的现象(current crowding)。在半导体层内发生电流集中的情况下，发光二极管对静电放电脆弱，并且可能发生漏电及效率下降。

通过使电流在整个发光区域均匀分散，能够提高发光元件的发光效率，并减小由电流集中导致的发热，从而能够提高发光元件的寿命及可靠性。

因此，为了有效地分散电流，已经公开了在p型半导体层上形成如ITO 等透明电极及电流阻挡层的技术。但是，仅利用电流阻挡层及透明电极使电流分散到整个p型半导体层时存在限制。并且，由于透明电极与p型电极之间的接合性不好，因此在所述p型电极接合引线的情况下，会发生引线断线或从p型电极剥离(peeling)的现象。因此，由p型电极周围的不良造成的发光元件的不良率增加，从而导致发光元件的可靠性及生产良率降低。

并且，驱动发光元件时，为了有效地分散电流，公开了一种使分别具有电极焊盘及电极延伸部的p型电极及n型电极的布置多样的技术。但是由于所述电极吸收光而发生的光损失，导致通过改变电极的布置来增加电流分散效率是有限度的。

实用新型内容

技术问题

本实用新型所要解决的课题是提供一种具有能够使电流经过整个发光区域而均匀分散的结构的发光元件。

本实用新型所要解决的又一课题是提供一种能够最小化由电极，尤其是电极焊盘的不良所造成的发光元件可靠性的下降的发光元件。

本实用新型所要解决的又一课题是提供一种针对由静电放电造成的不良及电短路的可靠性较高的发光元件。

本实用新型所要解决的又一课题是提供一种具有能够使电流经过整个发光区域而均匀分散的结构，并且，能够防止由于用于提高电流分散的结构所造成的光损失的发光元件。

技术方案

根据本实用新型的发光元件包括：第一导电型半导体层；活性层，位于所述第一导电型半导体层上；第二导电型半导体层，位于所述活性层上；电流阻挡层，位于所述第二导电型半导体层上的局部位置；透明电极，覆盖所述电流阻挡层，具有暴露所述电流阻挡层的开口部；第一电极焊盘，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极焊盘，位于所述电流阻挡层上，且位于所述透明电极的开口部上；第二电极延伸部，从所述第二电极焊盘延伸，且位于所述透明电极上，所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层，所述透明电极的开口部的侧面与所述焊盘电流阻挡层相隔。

并且，所述第二导电型半导体层的一部分可以在所述电流阻挡层和所述透明电极之间由于所述透明电极的开口部而暴露。