[实用新型]一种用于管式PECVD的进气装置有效
申请号: | 201822194719.X | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN209873096U | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 江庆;徐华浦;赵洪俊;江顺钦 | 申请(专利权)人: | 阜宁苏民绿色能源科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 32224 南京纵横知识产权代理有限公司 | 代理人: | 董建林;俞翠华 |
地址: | 224400 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 进气孔 管体 管路组件 集气装置 炉口 炉尾 本实用新型 第二管 真空泵 进气 进气装置 炉体顶部 炉体内部 炉体外部 气体分布 气体输送 均匀性 管内 管式 两路 炉管 炉体 连通 保证 | ||
本实用新型公开了一种用于管式PECVD的进气装置,包括炉体、第一集气装置、第二集气装置、第一管路组件、第二管路组件和真空泵,炉体顶部位于炉口和炉尾处分别设有第一进气孔和第二进气孔;第一管路组件包括第一管体和第二管体,第一管体和第二管体的一端均与第一集气装置相连,二者的另一端分别与第一进气孔和第二进气孔相连;第二管路组件包括第三管体和第四管体,第三管体和第四管体的一端均与第二集气装置相连,二者的另一端分别与第一进气孔和第二进气孔相连;真空泵设于炉体外部,且与炉体内部连通。本实用新型将一路气体输送改成两路,将单纯的炉口进气更改为在炉管的炉口顶部和炉尾顶部分别进气,能够保证炉口与炉尾的气体分布一致,使得管内均匀性得到改善。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池制备技术领域,具体涉及一种用于管式PECVD的进气装置。
背景技术
太阳能是一种绿色环保的新能源。利用太阳光发电的太阳能电池是对太阳能利用的最普遍的一种方式,制备氮化硅减反射膜是制造高效率太阳能电池的重要环节。氮化硅减反射膜通常采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,PECVD)技术生成,技术原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发生反应,在硅片上沉积出所期望的薄膜。PECVD目前有板式和管式两种,而管式PECVD以它低温生膜、成膜速度快且较为均匀等诸多优势而被广泛使用。在管式PECVD在运行时,气体从炉口进气,存在管内气体分布不均匀,炉口气体浓度较炉尾浓度高的问题,从而导致镀膜过程中生成的SiNx折射率差异较大,影响管内整体的均匀性,使得镀膜后颜色外观差异大,严重的需进行返工,浪费大量的人力物力,不仅给生产带来巨大的麻烦,还降低了产量。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型提出一种用于管式PECVD的进气装置,将一路气体输送改成两路,将单纯的炉口进气更改为在炉管的炉口顶部和炉尾顶部分别进气,能够保证炉口与炉尾的气体分布一致,使得管内均匀性得到改善,减少色差片的出现。
实现上述技术目的,达到上述技术效果,本实用新型通过以下技术方案实现:
一种用于管式PECVD的进气装置,包括:
炉体,所述炉体内为空腔结构,用于放置待镀膜物件,所述炉体顶部位于炉口和炉尾处分别设有第一进气孔和第二进气孔;
第一集气装置;
第二集气装置;
第一管路组件,所述第一管路组件包括第一管体和第二管体,所述第一管体和第二管体的一端均与所述第一集气装置的出口相连,二者的另一端分别与所述第一进气孔和第二进气孔相连通;
第二管路组件,所述第二管路组件包括第三管体和第四管体,所述第三管体和第四管体的一端均与所述第二集气装置的出口相连,二者的另一端分别与所述第一进气孔和第二进气孔相连通;
真空泵,所述真空泵设于所述炉体的外部,且与所述炉体内部连通。
作为本实用新型的进一步改进,所述第一进气孔和第二进气孔对称设置于炉体的两侧。
作为本实用新型的进一步改进,所述第一管体和第二管体上均设有流量计;所述第三管体和第四管体上均设有流量计。
作为本实用新型的进一步改进,所述第一管体和第二管体长度相等;所述第三管体和第四管体长度相等。
作为本实用新型的进一步改进,所述第一集气装置内填充有SiH4气体。
作为本实用新型的进一步改进,所述第一集气装置为集气瓶。
作为本实用新型的进一步改进,所述第二集气装置内填充有NH3气体。
作为本实用新型的进一步改进,所述第二集气装置为集气瓶。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的