[实用新型]背入射式共面电极多单元芯片有效

专利信息
申请号: 201822196268.3 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN209401639U 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: 杨彦伟;刘宏亮;刘格;邹颜 申请(专利权)人: 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
主分类号: H01L31/0232 分类号: H01L31/0232;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 代理人: 田俊峰
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 芯片 入射光 第一电极 分光单元 光敏区 透光孔 吸收层 本实用新型 光电转换区 背入射式 第二电极 共面电极 多单元 缓冲层 光功率监控 光电转换 光分路器 光路系统 顶层 透射 衬底 分出 分光 背面 贯穿
【权利要求书】:

1.一种背入射式共面电极多单元芯片,其特征在于:所述芯片包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层;

所述芯片上包括多个分光单元,每个所述分光单元包括透光孔、光敏区和第一电极;所述透光孔向远离所述芯片背面的方向开口并贯穿所述吸收层和所述顶层;所述光敏区设于所述顶层并一端与所述吸收层相连接;所述吸收层内对应所述光敏区的区域为光电转换区;所述第一电极设于所述芯片的正面,所述第一电极与对应的所述光敏区的另一端相连接;

所述芯片的正面上还设有至少一个第二电极,所述第二电极与所述缓冲层相连接;

所述芯片的背面为入光侧,每个所述分光单元的透光孔使对应的入射光的一部分透射分出,入射光的另一部分在对应的所述光电转换区进行光电转换。

2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于:所述芯片的正面边缘上还设有多个与所述分光单元的第一电极一一对应的电极焊盘;每个所述分光单元的第一电极通过电极连接线与对应的所述电极焊盘电连接;

多个所述电极连接线之间相互绝缘设置;多个所述电极焊盘之间相互绝缘设置;多个所述分光单元的第一电极相互绝缘设置;所述第二电极与每个所述分光单元的第一电极相互绝缘设置,所述第二电极与每个所述电极连接线和每个所述电极焊盘均相互绝缘设置。

3.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于:多个所述分光单元之间共用所述衬底、所述缓冲层、所述吸收层和所述顶层,各个所述分光单元的光敏区相互间隔,各个所述光敏区通过对应连接的所述第一电极输出光电转换信号。

4.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于:所述透光孔内端位于所述缓冲层。

5.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于:所述芯片的正面上还开设有与所述第二电极一一对应的电极安装槽,所述电极安装槽贯穿所述顶层和所述吸收层,所述第二电极设于所述电极安装槽内。

6.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于:所述芯片的背面设有多个与所述分光单元一一对应的入光增透膜;每个所述入光增透膜大于对应的所述透光孔沿平行于所述芯片表面的横截面积,也大于对应的所述光敏区沿平行于所述芯片表面的横截面积。

7.根据权利要求4所述的芯片,其特征在于:每个所述分光单元的透光孔的内端设有出光增透膜。

8.根据权利要求6所述的芯片,其特征在于:所述芯片的背面还设有反光层,所述反光层设有多个用于设置对应的所述入光增透膜的入光增透膜孔,所述反光层由反光材料制成。

9.根据权利要求2所述的芯片,其特征在于:相邻两个所述分光单元的中心间距大于100um且小于5000um,相邻两个所述电极焊盘的中心间距大于30um且小于1000um;相邻两个所述电极连接线的间距大于5um。

10.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于:所述芯片的正面上还设有钝化膜,所述钝化膜上开设有多个与分光单元的第一电极一一对应的第一电极通孔,每个分光单元的第一电极位于对应的第一电极通孔内;所述钝化膜上还开设有至少一个与所述第二电极一一对应的第二电极通孔,每个所述第二电极位于对应的第二电极通孔内。

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