[实用新型]一种半导体器件过热保护电路有效
| 申请号： | 201822226488.6 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN209462001U | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 斯建;游剑波 | 申请（专利权）人： | 奥克斯空调股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H5/04 | 分类号： | H02H5/04 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人： | 袁忠卫;李娜 |
| 地址： | 315191 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 过热保护电路 温度检测模块 反馈信号 控制模块 本实用新型 接地 发射端 输入端 关断 输出 转换 安全 | ||
1.一种半导体器件过热保护电路，其特征在于：所述半导体器件过热保护电路包括，
与所述半导体器件的接地的发射端相连的温度检测模块；
与所述半导体器件输入端相连并接收所述温度检测模块输出的反馈信号的控制模块；
所述控制模块将接收到的所述反馈信号转换后与安全阈值进行比较，依据比较结果控制所述半导体器件的关断与否。
2.根据权利要求1所述半导体器件过热保护电路，其特征在于：
所述温度检测模块包括一端与所述发射端相连的热敏电阻，所述热敏电阻的另一端连接分压电阻的一端，所述分压电阻的另一端连接弱电电源。
3.根据权利要求2所述半导体器件过热保护电路，其特征在于：
所述反馈信号为所述热敏电阻的两端电压信号。
4.根据权利要求1所述半导体器件过热保护电路，其特征在于：
所述反馈信号经AD转换成温度信号，所述安全阈值为预设温度值。
5.根据权利要求1所述半导体器件过热保护电路，其特征在于：
所述控制模块为DSP芯片。
6.根据权利要求1所述半导体器件过热保护电路，其特征在于：
所述半导体器件为IGBT。
7.根据权利要求1所述半导体器件过热保护电路，其特征在于：
所述半导体器件为MOS管。
8.根据权利要求1所述半导体器件过热保护电路，其特征在于：
所述控制模块向所述半导体器件的所述输入端输出PWM方波。
9.根据权利要求1所述半导体器件过热保护电路，其特征在于：
所述温度检测模块与所述半导体器件的发射端之间还连接有导热铜箔。
10.根据权利要求2所述半导体器件过热保护电路，其特征在于：
所述热敏电阻为片状热敏电阻。
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