[实用新型]一种半导体器件过热保护电路

说明书

本实用新型提供了一种半导体器件过热保护电路，所述半导体器件过热保护电路包括与所述半导体器件的接地的发射端相连的温度检测模块、与所述半导体器件输入端相连并接收所述温度检测模块输出的反馈信号的控制模块，所述控制模块将接收到的所述反馈信号转换后与安全阈值进行比较，依据比较结果控制所述半导体器件的关断与否。这种过热保护电路结构简单、成本较低，而且可靠性高、反应迅速、具有良好的保护效果。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，特别涉及一种半导体器件过热保护电路。

背景技术

目前各大半导体厂家生产的IGBT、MOS等半导体器件内部均无温度检测及过热保护设计，客户应用时通常是在半导体器件散热面贴装金属散热器或者仅靠空气流通方式来对半导体散热。

但这两种方式均无法对半导体器件自身温度进行判断，在半导体散热面与散热器接触不良、半导体本体积灰严重或散热器表面积灰严重情况下，半导体内部PN结温度可能会急剧上升，导致半导寿命减短甚至过热损坏。

为了避免半导体散热不良带来的不良影响，实际应用时需要外接温度检测电路检测半导体器件温度，常规方法是在半导体器件表面贴装热敏电阻，热敏电阻阻值随半导体表面温度变化而变化，从而采集到半导体表面温度信号。但这种方式需要将热敏电阻固定到半导体器件表面，固定方式设计比较困难，而且存在热敏电阻和半导体间接触不良导致温度采集不准的隐患。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型旨在提出一种电路结构简单、温度采集准确的半导体器件过热保护电路。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种半导体器件过热保护电路，其特征在于：所述半导体器件过热保护电路包括，

与所述半导体器件的接地的发射端相连的温度检测模块；

与所述半导体器件输入端相连并接收所述温度检测模块输出的反馈信号的控制模块；

所述控制模块将接收到的所述反馈信号转换后与安全阈值进行比较，依据比较结果控制所述半导体器件的关断与否。

进一步的，所述温度检测模块包括一端与所述发射端相连的热敏电阻，所述热敏电阻的另一端连接分压电阻的一端，所述分压电阻的另一端连接弱电电源。

进一步的，所述反馈信号为所述热敏电阻的两端电压信号。

进一步的，所述反馈信号经AD转换成温度信号，所述安全阈值为预设温度值。

进一步的，所述控制模块为DSP芯片。

进一步的，所述半导体器件为IGBT。

进一步的，所述半导体器件为MOS管。

进一步的，所述控制模块向所述半导体器件的所述输入端输出PWM方波。

进一步的，所述温度检测模块与所述半导体器件的发射端之间还连接有导热铜箔。

进一步的，所述热敏电阻为片状热敏电阻。

相对于现有技术，本实用新型所述半导体器件过热保护电路及方法具有以下优势：

将半导体器件的发热温度通过输出端传输至温度检测模块，温度检测模块将所述温度转换成电信号输出至控制模块，通过控制模块的分析判断来控制半导体器件的通断，从而防止半导体器件过热，该种保护电路结构简单，反应灵敏，检测准确性高，具有良好的过热保护效果，与其对应的判断方法也简单可靠，适用范围广。

附图说明

构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：