[实用新型]一种低功耗功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 201822243238.3 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209216982U | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 徐吉程;袁力鹏;范玮 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭永丽;党娟娟 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 屏蔽结构 接触孔 外延层 功率MOSFET器件 源极金属区 低功耗 半导体功率器件 本实用新型 接触金属层 导通电阻 多晶硅层 高压器件 漂移区 氧化层 底端 电阻 延伸 | ||
1.一种低功耗功率MOSFET器件，其特征在于，包括：屏蔽结构，接触孔，源极金属区层外延层和沟槽；
所述屏蔽结构由第二氧化层和第二多晶硅层组成，所述屏蔽结构位于设置在所述外延层内的所述沟槽的底部；
所述接触孔位于所述屏蔽结构的上方，所述接触孔的底端与所述屏蔽结构的上端相接触，设置在所述接触孔内的接触金属层延伸出所述外延层与所述源极金属区层相接触。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括第一P型阱区层和N+源极区；
所述第一P型阱区层位于所述外延层的上方，且延伸至所述外延层内；
所述N+源极区位于所述第一P型阱区层的上方，且延伸至所述第一P型阱区层内；
所述接触金属层分别与所述第一P型阱区层和所述N+源极区相接触。
3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，还包括第一氧化层和第一多晶硅层；
所述第一氧化层的底端分别与所述N+源极区层，所述P型阱区层和所述外延层的上端相接触；
所述第一氧化层的上端与所述第一多晶硅层的底端相接触。
4.如权利要求3所述的器件，其特征在于，设置所述第一多晶硅上表面的所述第二氧化层将设置在所述外延层上第一氧化层和所述第一多晶硅层分成多段；
所述第二氧化层的下端部分与所述第一多晶硅层的上端相接触，部分与设置在所述外延层上的所述N+源极区的上端相接触。
5.如权利要求4所述的器件，其特征在于，所述沟槽依次穿过所述N+源极区，所述第一P型阱区层，延伸至所述外延层内；
或者所述沟槽依次穿过所述N+源极区，所述第一P型阱区层，所述外延层，延伸至衬底层内；
所述沟槽的内壁与所述第二氧化层相接触，设置在所述沟槽内的所述第二氧化层另一个侧面与所述第二多晶硅相接触。
6.如权利要求5所述的器件，其特征在于，还包括漏区金属层；所述漏区金属层位于所述衬底层的下方。
7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二氧化层的上端与所述源极金属区层的下端相接触。
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