[实用新型]一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路有效
申请号: | 201822268359.3 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN209218082U | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 张有坚;梁鹏皓;陈扬华;梁金府;邓啸冬;韦艳香;容敏;蒙家成;傅云生 | 申请(专利权)人: | 桂林市利通电子科技有限责任公司 |
主分类号: | H04B1/69 | 分类号: | H04B1/69;H04B1/40 |
代理公司: | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人: | 陈跃琳 |
地址: | 541004 广西壮族自治区桂*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无线扩频通讯 高频功率放大电路 前置放大电路 芯片 高频开关信号 本实用新型 信号输出端 信号输入端 高频开关 性能提升 天线 电路 芯片输出信号 接收灵敏度 输出端连接 芯片输出端 芯片输入端 接收处理 滤波电路 输入端 天线端 经带 通讯 | ||
1.一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路,包括天线、高频开关U2和无线扩频通讯芯片U1,其中,高频开关U2天线端连接至天线,其特征在于:还包括前置放大电路和高频功率放大电路;
高频开关U2信号输出端连接前置放大电路信号输入端,前置放大电路信号输出端连接至无线扩频通讯芯片U1输入端,无线扩频通讯芯片U1输出端连接至高频功率放大电路信号输入端,高频功率放大电路信号输出端经带通滤波电路连接高频开关U2信号输入端。
2.如权利要求1所述的一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路,其特征在于:所述前置放大电路包括双发射极射频晶体管Q1和前置电源管理电路;
所述双发射极射频晶体管Q1的基极B经电感L11和电容C5连接至高频开关U2信号输出端,双发射极射频晶体管Q1的发射极E1和E2接地,双发射极射频晶体管Q1的集电极C分为两路:一路经电阻R8连接至前置电源管理电路输出端,另一路经电阻R2和电容C4连接至无线扩频通讯芯片U1输入端。
3.如权利要求1或2所述的一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路,其特征在于:所述高频功率放大电路包括高频功率放大三极管Q2及高频电源管理电路;
所述高频功率放大三极管Q2的基极B分为两路:一路经电感L4、电容C5和电感L3后连接至无线扩频通讯芯片U1输出端,另一路连接至高频电源管理电路的输出端;
高频功率放大三极管Q2的发射极E接地,高频功率放大三极管Q2的集电极C分为两路:一路经电感L6后连接至第一电源,另一路连接带通滤波电路输入端。
4.如权利要求2所述的一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路,其特征在于:所述前置电源管理电路包括第一模拟开关T1,第一模拟开关T1包括第一三极管、第二三极管;
第一三极管的基极B1经电阻R3连接至高频开关U2的第二控制端,第一三极管的发射极E1接地,第一三极管的集电极C1经电阻R5和R6后连接至第二电源,第二三极管的基极C2经电阻R6后连接至第二电源,第二三极管的发射极E2连接至第二电源,第二三极管的集电极C2为前置电源管理电路的输出端,第二三极管的集电极C2经电阻R8连接至双发射极射频晶体管Q1的集电极C。
5.如权利要求3所述的一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路,其特征在于:所述高频电源管理电路包括第二模拟开关T2,第二模拟开关T2包括第三三极管、第四三极管;
第三三极管的基极B1经电阻R4连接至高频开关U2的第一控制端,第三三极管的发射极E1接地,第三三极管的集电极C1经电阻R9和R10后连接至第二电源,第四三极管的基极B2经电阻R10连接至第二电源,第四三极管的发射极E2连接至第二电源,第四三极管的集电极C2为高频功率放大电路的输出端,第四三极管的集电极C2经电阻R11和R13以及电感L5后连接至高频功率放大三极管Q2的基极B。
6.如权利要求5所述的一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路,其特征在于:电阻R8两端并联有电容C25及电感L10。
7.如权利要求2或6所述的一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路,其特征在于:双发射极射频晶体管Q1的基极经偏置电阻R7连接至电源管理电路输出端。
8.如权利要求5所述的一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路,其特征在于:所述第二模拟开关T2的型号为MMDT3946。
9.如权利要求3所述的一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路,其特征在于:所述高频功率放大三极管Q2型号为2SK3078。
10.如权利要求2所述的一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路,其特征在于:所述双发射极射频晶体管Q1型号为NE662M04。
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