[实用新型]一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路

说明书

本实用新型公开了一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路，包括天线、高频开关和无线扩频通讯芯片，其中，高频开关天线端连接至天线，还包括前置放大电路和高频功率放大电路；高频开关信号输出端连接前置放大电路信号输入端，前置放大电路信号输出端连接至无线扩频通讯芯片输入端，无线扩频通讯芯片输出端连接至高频功率放大电路信号输入端，高频功率放大电路信号输出端经带通滤波电路连接高频开关信号输入端。本实用新型通过前置放大电路使无线扩频通讯芯片接收处理更为微弱的接收信号，通过高频功率放大电路增强了无线扩频通讯芯片输出信号的强度，因此提高了无线扩频通讯芯片的接收灵敏度和扩大了其通讯范围。

技术领域

本实用新型涉及无线扩频通讯领域，尤其是涉及一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路。

背景技术

扩频通讯也称扩展频谱通讯，其特点是传输信息所用的带宽远大于信息本身带宽。扩频通讯的主要优点是抗干扰性强，误码率低，易于同频使用，提高了无线频谱利用率。SX1278是一款工作于137MHZ～525MHZ频段的高性能扩频通讯芯片，易于通过微电脑进行设置和控制，在无线区域数字通讯领域得到广泛的应用。这款芯片本身能输出最大100MW的发射功率，在传送速率为1.2kb/s时接收灵敏度达到-121dBm，但随着传送速率的提高会导致接收灵敏度会显著下降。为了使SX1278芯片的数字通讯的区域更大，这款芯片现有的外围电路性能达不到要求，需进行改进以提高其接收灵敏度和发射功率。

实用新型内容

本实用新型提供了一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路，用于解决现有无线扩频通讯芯片及其外围电路性能不够强的问题。

实现本实用新型所用的技术特征为：

一种无线扩频通讯芯片的性能提升电路，包括天线、高频开关U2和无线扩频通讯芯片U1，其中，高频开关U2天线端连接至天线，其特征在于：还包括前置放大电路和高频功率放大电路；

高频开关U2信号输出端连接前置放大电路信号输入端，前置放大电路信号输出端连接至无线扩频通讯芯片U1输入端，无线扩频通讯芯片U1输出端连接至高频功率放大电路信号输入端，高频功率放大电路信号输出端经带通滤波电路连接高频开关U2信号输入端。

进一步的，所述前置放大电路包括双发射极射频晶体管Q1和前置电源管理电路；

所述双发射极射频晶体管Q1的基极B经电感L11和电容C5连接至高频开关U2信号输出端，双发射极射频晶体管Q1的发射极E1和E2接地，双发射极射频晶体管Q1的集电极C分为两路：一路经电阻R8连接至前置电源管理电路输出端，另一路经电阻R2和电容C4连接至无线扩频通讯芯片U1输入端。

进一步的，所述高频功率放大电路包括高频功率放大三极管Q2及高频电源管理电路；

所述高频功率放大三极管Q2的基极B分为两路：一路经电感L4、电容C5和电感L3后连接至无线扩频通讯芯片U1输出端，另一路连接至高频电源管理电路的输出端；

高频功率放大三极管Q2的发射极E接地，高频功率放大三极管Q2的集电极C分为两路：一路经电感L6后连接至第一电源，另一路连接带通滤波电路输入端。

进一步的，所述前置电源管理电路包括第一模拟开关T1，第一模拟开关T1包括第一三极管、第二三极管；

第一三极管的基极B1经电阻R3连接至高频开关U2的第二控制端，第一三极管的发射极E1接地，第一三极管的集电极C1经电阻R5和R6后连接至第二电源，第二三极管的基极C2经电阻R6后连接至第二电源，第二三极管的发射极E2连接至第二电源，第二三极管的集电极C2为前置电源管理电路的输出端，第二三极管的集电极C2经电阻R8连接至双发射极射频晶体管Q1的集电极C。

进一步的，所述高频电源管理电路包括第二模拟开关T2，第二模拟开关T2包括第三三极管、第四三极管；