[实用新型]芯片封装结构有效
| 申请号： | 201822269799.0 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209374430U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 孙鹏;任玉龙 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一表面 焊盘区 衬底 半导体 第二表面 凸块结构 氧化层区 芯片封装结构 电连接 盲孔 贴合 芯片 热膨胀系数差异 本实用新型 长期可靠性 填充物质 芯片封装 有机填料 封装层 包封 填充 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
芯片，正面具有第一焊盘区和第一氧化层区；
半导体衬底，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面具有与所述第一焊盘区对应贴合的第二焊盘区和与所述第一氧化层区对应贴合的第二氧化层区，所述第二表面具多个盲孔；
引出层，设置在所述半导体衬底的第二表面上，通过所述盲孔与所述第二焊盘区电连接；
封装层，设置在所述半导体衬底的第一表面，包封所述芯片和所述第一表面。
2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二焊盘区和所述第二氧化层区位于同一平面。
3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一焊盘区与所述第二焊盘区键合，所述第一氧化层区和所述第二氧化层区融合。
4.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述半导体衬底内部具有与所述第二焊盘区电连接的多层金属互连结构，所述盲孔深入至所述金属互连结构。
5.如权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属互连结构小于或等于四层。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述引出层包括：布线层，填充所述盲孔并覆盖部分所述半导体衬底的表面；
介质层，设置在所述布线层的表面，具有多个连通至所述布线层的过孔；
引脚，设置在所述过孔内，与所述布线层连接。
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