[实用新型]芯片封装结构

说明书

本实用新型公开了一种芯片封装结构，包括：芯片，正面具有第一焊盘区和第一氧化层区；半导体衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，第一表面具有与第一焊盘区对应贴合的第二焊盘区和与第一氧化层区对应贴合的第二氧化层区，第二表面具多个盲孔；引出层，设置在半导体衬底的第二表面上，通过盲孔与第二焊盘区电连接；封装层，设置在半导体衬底的第一表面，包封芯片和第一表面。在半导体衬底内形成凸块结构，实现引出层与焊盘区电连接，即凸块结构之间的填充物质相当于半导体衬底，可以避免现有技术中在凸块结构之间采用有机填料填充所带来的热膨胀系数差异的问题，提升了芯片封装的长期可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种芯片封装结构。

背景技术

传统的二维(2D)芯片封装设置在同一个平面内且通过封装衬底相互连接。然而，传统的二位封装对于提高系统集成密度能力有限。而通过中介层(2.5D)，实现立体互连的组装技术不仅提高了封装密度，降低了封装成本，同时也缩小了芯片间的互连长度，提高了运行速度，越来越受到关注。

目前，在2.5D系统集成中，芯片与转接板的互连，使用凸块(Bump) 焊接工艺加底填料保护，Bump焊接工艺对于Bump之间的节距有一定要求，目前，不能小于40um。Bump焊接完成后，需要使用底填料填充芯片与转接板之间的空隙，底填料，属于有机材料，热膨胀系数与硅之间存在较大差异，可能不易于芯片封装的长期可靠性。

实用新型内容

因此，本实用新型提供一种芯片封装结构，提高芯片封装的长期可靠子性。

本实用新型实施例提供了一种芯片封装结构，包括：芯片，正面具有第一焊盘区和第一氧化层区；半导体衬底，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面具有与所述第一焊盘区对应贴合的第二焊盘区和与所述第一氧化层区对应贴合的第二氧化层区，所述第二表面具多个盲孔；引出层，设置在所述半导体衬底的第二表面上，通过所述盲孔与所述第二焊盘区电连接；封装层，设置在所述半导体衬底的第一表面，包封所述芯片和所述第一表面。

可选地，所述第二焊盘区和所述第二氧化层区位于同一平面。

可选地，所述第一焊盘区与所述第二焊盘区键合，所述第一氧化层区和所述第二氧化层区融合。

可选地，所述半导体衬底内部具有与所述第二焊盘区电连接的多层金属互连结构，所述盲孔深入至所述金属互连结构。

可选地，所述金属互连结构小于或等于四层。

可选地，所述引出层包括：布线层，填充所述盲孔并覆盖部分所述半导体衬底的表面；介质层，设置在所述布线层的表面，具有多个连通至所述布线层的过孔；引脚，设置在所述过孔内，与所述布线层连接。

本实用新型技术方案，具有如下优点：

1.芯片的焊盘区与半导体衬底的焊盘区贴合，芯片的氧化层区与半导体衬底的第一表面氧化层区贴合，在半导体衬底上开设盲孔，利用引出层，填充盲孔，在半导体衬底内形成凸块结构，实现引出层与焊盘区电连接，即凸块结构之间的填充物质相当于半导体衬底，这样可以避免现有技术中在芯片和衬底之间制作凸块结构并采用有机填料填充所带来的热膨胀系数差异的问题，提升了芯片封装的长期可靠性。

2.半导体衬底第一表面的所述第二焊盘区和所述第二氧化层区位于同一平面。并且所述第一焊盘区与所述第二焊盘区键合，所述第一氧化层区和所述第二氧化层区融合，从而形成芯片与半导体衬底之间没有缝隙结构，提高封装结构的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。