[实用新型]基于缺陷地结构共面波导的激光器有效
申请号: | 201822274742.X | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN209249654U | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 王建坤;黄永光;阚强 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01P3/10 | 分类号: | H01P3/10;H01S5/022 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷地结构 激光器 共面波导 镀金层 介质层 下表面 信号线 本实用新型 正极连接 中间设置 上表面 地线 | ||
1.一种基于缺陷地结构共面波导的激光器,其特征在于,包括:
介质层(1);
下表面镀金层(2),设置在所述介质层(1)的下表面;
上表面镀金层(3),设置在所述介质层(1)的上表面,所述上表面镀金层(3)的中间设置为信号线(4),所述信号线(4)两侧设置有缺陷地结构(5);
激光器(6),设置在所述信号线(4)的末端,所述激光器(6)的正极连接至所述缺陷地结构(5)。
2.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构共面波导的激光器,其中,所述缺陷地结构(5)的传输阻带的位置、宽度和深度在第一预设范围之内。
3.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构共面波导的激光器,其中,所述缺陷地结构(5)的缺陷形状为方形、半圆形或螺旋状。
4.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构共面波导的激光器,其中,所述信号线(4)与其两侧的所述上表面镀金层(3)之间的距离在第二预设范围之内。
5.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构共面波导的激光器,其中,所述激光器(6)焊接在所述信号线(4)的末端,所述激光器(6)的正极通过金丝键合连接至所述缺陷地结构(5)。
6.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构共面波导的激光器,其中,所述下表面镀金层(2)和上表面镀金层(3)的溅射结构依次为粘附层、阻挡层和导带层,所述粘附层的材料为TiW或Ti,所述阻挡层的材料为Ni,所述导带层的材料为Au。
7.根据权利要求6所述的基于缺陷地结构共面波导的激光器,其中,所述粘附层的厚度为800-1200埃,所述阻挡层的厚度为1000-2000埃,所述导带层的厚度为500-1000埃。
8.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构共面波导的激光器,其中,所述下表面镀金层(2)和上表面镀金层(3)的电镀材料为Au,所述电镀材料的厚度为3-5μm。
9.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构共面波导的激光器,其中,所述介质层(1)的材料为AlN或Al2O3。
10.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构共面波导的激光器,其中,所述激光器为分布反馈激光器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822274742.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种串行激励波导及串行激励波导阵列
- 下一篇:一种C频段测试用耦合器