[实用新型]基于缺陷地结构共面波导的激光器

说明书

本实用新型提供了一种基于缺陷地结构共面波导的激光器，包括：介质层(1)；下表面镀金层(2)，设置在介质层(1)的下表面；上表面镀金层(3)包括两部分，中间设置为信号线(4)，两侧的地线上设置有缺陷，形成缺陷地结构(5)；激光器(6)，设置在信号线(4)的末端，激光器(6)的正极连接至缺陷地结构(5)。

技术领域

本实用新型涉及光电子器件领域，具体地，涉及一种基于缺陷地结构共面波导的激光器。

背景技术

随着社会的发展，人们对通信的要求越来越高，其中，半导体激光器在微波通信领域发挥着不可或缺的作用。半导体激光器作为光源，是通信系统中最核心的器件，随着通信速率的提高，对半导体激光器的调制速率和调制特性都有很高的要求。提高激光器的调制频率会使得激光器工作在驰豫振荡频率内，造成谐振峰过高并产生谐波失真和交调失真，从而使通信系统无法工作。

现有降低半导体激光器谐振峰的技术中，多从激光器芯片出发。例如增加激光器的工作电流可以使频响曲线更平坦，但是造成激光器的功耗增加、寿命缩短、稳定性变差等；提高增益饱和因子也可以使谐振峰更平坦，但可能会影响激光器的调制带宽；减小激光器有源区长度可以减小光子寿命，提高谐振频率，从而降低激光器的非线性失真，但是会降低激光器的最大输出光功率，同时也增加了工艺难度。考虑到半导体激光器工作在共面波导传输线上，而共面波导传输线上图形变化灵活性大、工艺实现简单，高频信号传输对共面波导图形敏感，因此可以通过对共面波导结构进行设计。在不增加成本和不影响激光器调制带宽等特性的情况下实现对激光器谐振峰的调控。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型提供了一种基于缺陷地结构共面波导的激光器，至少解决以上技术问题。

(二)技术方案

本实用新型提供了一种基于缺陷地结构共面波导的激光器，包括：介质层；下表面镀金层，设置在所述介质层的下表面；上表面镀金层，设置在所述介质层的上表面，所述上表面镀金层的中间设置为信号线，所述信号线两侧的所述上表面镀金层设置有缺陷地结构；激光器，设置在所述信号线的末端，所述激光器的正极连接至所述缺陷地结构。

可选地，所述缺陷地结构的传输阻带的位置、宽度和深度在第一预设范围之内。

可选地，所述缺陷地结构的缺陷形状为方形、半圆形或螺旋状。

可选地，所述信号线与其两侧的所述上表面镀金层之间的距离在第二预设范围之内。

可选地，所述激光器焊接在所述信号线的末端，所述激光器的正极通过金丝键合连接至所述缺陷地结构。

可选地，所述下表面镀金层和上表面镀金层的溅射结构依次为粘附层、阻挡层和导带层，所述粘附层的材料为TiW或Ti，所述阻挡层的材料为Ni，所述导带层的材料为Au。

可选地，所述粘附层的厚度为800-1200埃，所述阻挡层的厚度为1000-2000埃，所述导带层的厚度为500-1000埃。

可选地，所述下表面镀金层和上表面镀金层的电镀材料为Au，所述电镀材料的厚度为3-5μm。

可选地，所述介质层的材料为AlN或Al₂O₃。

可选地，所述激光器为分布反馈激光器。

(三)有益效果

本实用新型提供的基于缺陷地结构共面波导的激光器，具有以下有益效果：

(1)通过缺陷地结构共面波导可以改变地平面上屏蔽电流的分布，从而有效地降低了半导体激光器的谐振峰强度；