[发明专利]将多个微型发光二极管转移至目标基板的方法、阵列基板及其显示设备有效
申请号: | 201880000158.5 | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN110494993B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 黄冠;霍轶杰;刘芳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 将多个 微型 发光二极管 转移 目标 方法 阵列 及其 显示 设备 | ||
1.一种用于将多个微型发光二极管转移至目标基板的方法,包括:
提供具有所述多个微型发光二极管的阵列的第一基板;
提供具有接合层的目标基板,所述接合层包括多个接合触点;
向所述多个接合触点施加电势;
将所述多个微型发光二极管与具有所述电势的所述多个接合触点对准;以及
将所述第一基板中的所述多个微型发光二极管转移至所述目标基板上;
将所述多个微型发光二极管与所述多个接合触点对准包括:
放置所述第一基板和所述目标基板以使得所述第一基板和所述目标基板彼此面对;以及
朝向彼此地移动所述第一基板和所述目标基板;
在朝向彼此地移动所述第一基板和所述目标基板期间向所述多个接合触点施加所述电势;
向所述多个接合触点施加所述电势包括:向公共地连接至所述多个接合触点的信号线施加所述电势;
所述目标基板包括多个薄膜晶体管的阵列,每个薄膜晶体管包括与所述多个接合触点中的一个电连接的漏极、与公共电极电连接的源极、以及栅极;
其中,向公共地连接至所述多个接合触点的所述信号线施加所述电势包括:
分别向所述多个薄膜晶体管的多个栅极施加多个栅极扫描信号,从而导通所述多个薄膜晶体管;以及
向与所述多个薄膜晶体管的多个源极电连接的所述公共电极施加所述电势,从而向所述多个接合触点施加所述电势。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个微型发光二极管中的每一个包括微型p-n二极管和位于所述微型p-n二极管上的金属化块;并且
将所述多个微型发光二极管与所述多个接合触点对准包括将所述金属化块与被施加有所述电势的所述多个接合触点中的一个对准,所述金属化块置于所述微型p-n二极管和所述多个接合触点中的一个之间。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一基板是生长基板。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一基板是柔性载体基板;
所述方法还包括:
在生长基板上制作所述多个微型发光二极管;以及
将所述生长基板中的所述多个微型发光二极管转移至所述第一基板上。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,在将所述第一基板中的所述多个微型发光二极管转移至所述目标基板上之前,还包括:
调整所述第一基板中的所述多个微型发光二极管的第一间距,以使得所述第一间距与所述目标基板中的所述多个接合触点的第二间距相匹配。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述多个微型发光二极管转移至所述目标基板上包括从所述第一基板剥离所述多个微型发光二极管。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述多个微型发光二极管转移至所述目标基板上包括通过激光剥离从所述第一基板剥离所述多个微型发光二极管。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,在将所述多个微型发光二极管转移至所述目标基板上之后,还包括将所述多个微型发光二极管分别焊接至所述多个接合触点上。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,将所述多个微型发光二极管分别焊接至所述多个接合触点上通过回流焊接进行。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,将所述多个微型发光二极管分别焊接至所述多个接合触点上通过激光辅助焊接进行。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述电势是正电势。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,在将所述多个微型发光二极管转移至所述目标基板上之后,还包括远离所述目标基板地移动所述第一基板。
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