[发明专利]真空蒸镀用的掩模的清洗方法和冲洗组合物在审
| 申请号： | 201880000486.5 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN109415798A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 三木寿夫;花田毅 | 申请（专利权）人： | AGC株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C11D7/28;C11D7/50;C23C14/00;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 温剑;胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 掩模 真空蒸镀 冲洗组合物 清洗组合物 冲洗 二甲基甲酰胺 有机EL元件 清洗掩模 吡咯烷酮 氢氟醚 分解 制造 | ||
1.清洗方法，它是真空蒸镀用的掩模的清洗方法，其特征在于，
用含有选自N-甲基-2-吡咯烷酮和N,N-二甲基甲酰胺的至少1种的清洗组合物清洗所述掩模，
用含有选自CF3CH2-O-CF2CHF2、CHF2CF2-O-CH3、CHF2-O-CH2CF2CHF2和CF3CHFCF2-O-CH2CF3的至少1种氢氟醚的冲洗组合物对清洗后的所述掩模进行冲洗。
2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述冲洗组合物中的所述氢氟醚的含量的比例在80质量％以上100质量％以下。
3.如权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗组合物含有N-甲基-2-吡咯烷酮。
4.如权利要求1～3中任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述冲洗组合物含有CF3CH2-O-CF2CHF2。
5.如权利要求1～4中任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述掩模的清洗和冲洗均在10℃以上40℃以下进行。
6.如权利要求1～5中任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述掩模的清洗和冲洗均在20℃以上30℃以下进行。
7.如权利要求1～6中任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述真空蒸镀在低分子型有机EL元件的制造中进行。
8.如权利要求1～7中任一项所述的清洗方法，其特征在于，对用所述冲洗组合物冲洗后的掩模进行干燥。
9.冲洗组合物，该组合物是用于冲洗被含有选自N-甲基-2-吡咯烷酮和N,N-二甲基甲酰胺的至少1种的清洗组合物清洗过的真空蒸镀用掩模的冲洗组合物，其特征在于，
含有选自CF3CH2-O-CF2CHF2、CHF2CF2-O-CH3、CHF2-O-CH2CF2CHF2和CF3CHFCF2-O-CH2CF3的至少1种氢氟醚。
10.如权利要求9所述的冲洗组合物，其特征在于，所述冲洗组合物中的所述氢氟醚的含量的比例在80质量％以上100质量％以下。
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