[发明专利]用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构

权利要求书

1.一种三维存储器件，包括：

衬底；

存储器堆叠层，其设置在所述衬底上方并且包括交替堆叠的多个导体/电介质层对；

存储器串的阵列，每个所述存储器串竖直延伸穿过所述存储器堆叠层的内部区域，

其中，所述存储器堆叠层的外部区域包括设置在所述衬底上的第一阶梯结构和设置在所述衬底上的第二阶梯结构；

所述第一阶梯结构中的所述多个导体/电介质层对的第一边缘沿背离所述衬底的竖直方向朝所述存储器串的阵列横向错开；并且

所述第二阶梯结构中的所述多个导体/电介质层对的第二边缘沿背离所述衬底的竖直方向背离所述存储器串的阵列横向错开。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述导体/电介质层对中的每者的长度是相同的。

3.根据权利要求1所述的三维存储器件，还包括：

设置在所述存储器堆叠层上方的第一互连层；以及

多个第一通孔触点，所述第一通孔触点均与所述第一阶梯结构中的所述导体/电介质层对之一中的导体层接触，所述第一通孔触点均电连接至所述第一互连层。

4.根据权利要求3所述的三维存储器件，还包括：

设置在所述存储器堆叠层下方的第二互连层；以及

多个第二通孔触点，所述第二通孔触点均与所述第二阶梯结构中的所述导体/电介质层对之一中的导体层接触，所述第二通孔触点均电连接至所述第二互连层。

5.根据权利要求4所述的三维存储器件，其中，

所述第二互连层和所述存储器堆叠层设置在所述衬底的相对侧；并且

所述三维存储器件还包括多个第三通孔触点，所述第三通孔触点均延伸穿过所述衬底并且电连接至所述第二通孔触点之一和所述第二互连层。

6.根据权利要求1-5中的任何一项所述的三维存储器件，其中，

所述第一阶梯结构中的每个相邻导体/电介质层对的所述第一边缘朝所述存储器串的阵列横向错开，并且

所述第二阶梯结构中的每个相邻导体/电介质层对的所述第二边缘背离所述存储器串的阵列横向错开。

7.根据权利要求6所述的三维存储器件，其中，所述第一阶梯结构中的每个相邻导体/电介质层对的所述第一边缘的偏移量与所述第二阶梯结构中的每个相邻导体/电介质层对的所述第二边缘的偏移量相同。

8.根据权利要求1-5中的任何一项所述的三维存储器件，其中，所述存储器堆叠层在侧视图中具有大体上平行四边形的形状。

9.一种三维存储器件，包括：

衬底；

存储器堆叠层，其设置在所述衬底上方并且包括交替堆叠并横向错开的多个导体/电介质层对，其中，所述多个导体/电介质层对中的每者的长度是相同的；以及

存储器串的阵列，每个所述存储器串竖直延伸穿过所述存储器堆叠层。

10.根据权利要求9所述的三维存储器件，还包括：

设置在所述存储器堆叠层上方的第一互连层；以及

多个第一通孔触点，所述第一通孔触点分别与所述导体/电介质层对中的一些导体/电介质层对中的所述导体层接触，所述第一通孔触点电连接至所述第一互连层。

11.根据权利要求10所述的三维存储器件，还包括：

设置在所述存储器堆叠层下方的第二互连层；以及

多个第二通孔触点，所述第二通孔触点分别与所述导体/电介质层对中的一些导体/电介质层对中的所述导体层接触，所述第二通孔触点电连接至所述第二互连层。

12.根据权利要求11所述的三维存储器件，其中：

所述第二互连层和所述存储器堆叠层设置在所述衬底的相对侧；并且

所述三维存储器件还包括多个第三通孔触点，所述多个第三通孔触点延伸穿过所述衬底并且电连接至所述第二互连层和所述第二通孔触点。