[发明专利]反熔丝、反熔丝的制造方法以及存储装置

权利要求书

1.一种反熔丝，其特征在于，所述反熔丝包括至少一个反熔丝单元，其中，所述反熔丝单元包括：

场效应管，其包括衬底和设置于所述衬底的第一掺杂区、第二掺杂区以及栅电极；和

第一电极，其设置于所述衬底，并与衬底形成反熔丝电容，所述第一电极与所述第一掺杂区连接，通过所述第二掺杂区与所述衬底之间的电压差调整以及所述栅电极的电压调整击穿所述反熔丝电容，向所述反熔丝单元写入数据；或者，以通过所述栅电极的电压调整并对流经所述第二掺杂区的电流进行检测，确定所述反熔丝单元是否被写入数据。

2.根据权利要求1所述的反熔丝，其特征在于，所述反熔丝单元还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一电极与所述衬底之间。

3.根据权利要求2所述的反熔丝，其特征在于，所述场效应管还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述栅电极与所述衬底之间。

4.根据权利要求3所述的反熔丝，其特征在于，所述第二绝缘层以及所述第一绝缘层同时形成。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的反熔丝，其特征在于，所述第一电极为多晶硅极板，和/或，所述栅电极为多晶硅极板。

6.根据权利要求1-5所述的反熔丝，其特征在于，所述反熔丝单元还包括第一金属连接孔，所述第一掺杂区与所述第一电极通过所述第一金属连接孔连接。

7.根据权利要求6所述的反熔丝，其特征在于，所述第一金属连接孔为共享连接孔，所述第一掺杂区以及所述第一电极共用所述共享连接孔，以通过所述共享连接孔连接所述第一掺杂区以及所述第一电极。

8.根据权利要求6所述的反熔丝，其特征在于，所述反熔丝单元还包括第二金属连接孔以及金属连线层，所述第二金属连接孔用于连接第二掺杂区域与所述金属连线层，或者用于连接所述栅电极与所述金属连线层。

9.根据权利要求1-8所述的反熔丝，其特征在于，进一步包括隔离单元，所述隔离单元用于隔离所述反熔丝电容和与其相邻的反熔丝电容。

10.根据权利要求9所述的反熔丝，其特征在于，多个所述反熔丝单元成行列式排布形成反熔丝阵列，反熔丝阵列中相邻设置的两行或两列所述反熔丝电容共用一个所述隔离单元。

11.根据权利要求9所述的反熔丝，其特征在于，所述隔离单元为浅沟槽隔离单元或者第三掺杂区。

12.根据权利要求11所述的反熔丝，其特征在于，若所述隔离单元为所述浅沟槽隔离单元，则所述浅沟槽隔离单元与所述反熔丝电容的接触位置包括绝缘部。

13.根据权利要求11所述的反熔丝，其特征在于，若所述隔离单元为所述第三掺杂区，则所述衬底与所述第三掺杂区接触，且所述第三掺杂区域上设置有外接端口，以使所述衬底通过所述外接端口接出。

14.根据权利要求1-13所述的反熔丝，其特征在于，若所述衬底为P型衬底，则所述第一掺杂区、第二掺杂区均为N型掺杂；

或者，若所述衬底为N型衬底，则所述第一掺杂区、第二掺杂区均为P型掺杂。

15.根据权利要求1-14任一项所述的反熔丝，其特征在于，所述衬底与一固定电压连接。

16.一种反熔丝的制造方法，其特征在于，包括：

通过前段器件加工工艺在基体上进行加工得到衬底，并在所述衬底上形成第一电极、第一掺杂区、栅电极、第二掺杂区，所述衬底、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述栅电极形成场效应管，所述第一电极与所述衬底形成反熔丝电容；

通过后段金属加工工艺进行所述第一掺杂区、所述第一电极的电连接。