[发明专利]反熔丝、反熔丝的制造方法以及存储装置

说明书

本申请实施例提供一种反熔丝、反熔丝的制造方法以及存储装置，其中，反熔丝包括至少一个反熔丝单元，反熔丝单元包括：场效应管，其包括衬底和设置于衬底的第一掺杂区、第二掺杂区以及栅电极；和第一电极，其设置于衬底，并与衬底形成反熔丝电容，第一电极与第一掺杂区连接，通过第二掺杂区与衬底之间的电压差调整以及栅电极的电压调整击穿反熔丝电容，向反熔丝单元写入数据；或者，以通过栅电极的电压调整并对流经第二掺杂区的电流进行检测，确定反熔丝单元是否被写入数据，通过将第一电极与衬底分别作为反熔丝电容的一对极板，可以省略反熔丝单元的一端口。

技术领域

本申请实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种反熔丝、反熔丝的制造方法以及存储装置。

背景技术

常用的一次性可编程存储结构有电熔丝(efuse)或者反熔丝(antifuse)或者浮栅结构等。

电熔丝经过编程后会发生明显的物理熔断现象，熔断部分容易被观测，从而导致编程内容可被破解，使得电熔丝的安全性较低。与电熔丝相比，反熔丝在经过编程后不会出现明显的可以被观测的现象，安全性较高。

而浮栅结构经过编程后其内存储有电荷，但是存储的电荷容易受环境的影响发生损失，容易导致存储失效。与浮栅结构相比，反熔丝在编程后其中的反熔丝电容被击穿，会形成稳定的导电回路，鲁棒性更好、存储内容更加稳定。

由于反熔丝具有上述技术优势，使得反熔丝在一次性编程领域得到了广泛的应用。反熔丝一般包括多个反熔丝单元，一个反熔丝单元一般包括场效应管和反熔丝电容，但是反熔丝单元的控制端口较多，在控制反熔丝单元时，需要多个端口同时满足设定要求，导致控制方法较为复杂，从而不利于反熔丝的普及与应用。例如，反熔丝电容的一个极板与场效应管的一端相连，则反熔丝单元的控制端口包括：反熔丝电容的另一极板、场效应管的另外两个端口、场效应管的衬底等，因此，在实现反熔丝单元的控制时，需要反熔丝电容的另一极板、场效应管的另外两个端口、场效应管的衬底同时满足设定要求，导致控制方法较为复杂。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种反熔丝、反熔丝的制造方法以及存储装置，用以至少解决现有技术中的上述问题。

为实现本申请实施例的目的，本申请实施例提供了一种反熔丝，所述反熔丝包括至少一个反熔丝单元，其中，所述反熔丝单元包括：场效应管，其包括衬底和设置于所述衬底的第一掺杂区、第二掺杂区以及栅电极；和第一电极，其设置于所述衬底，并与衬底形成反熔丝电容，所述第一电极与所述第一掺杂区连接，通过所述第二掺杂区与所述衬底之间的电压差调整以及所述栅电极的电压调整击穿所述反熔丝电容，向所述反熔丝写入数据；或者，以通过所述栅电极的电压调整并对流经所述第二掺杂区的电流进行检测，确定所述反熔丝是否被写入数据。

可选地，在本申请的任一实施例中，所述反熔丝还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一电极与所述衬底之间。

可选地，在本申请的任一实施例中，所述场效应管还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述栅电极与所述衬底之间。

可选地，在本申请的任一实施例中，所述第二绝缘层以及所述第一绝缘层同时形成。

可选地，在本申请的任一实施例中，所述第一电极为多晶硅极板，和/或，所述栅电极为多晶硅极板。

可选地，在本申请的任一实施例中，所述反熔丝还包括第一金属连接孔，所述第一掺杂区与所述第一电极通过所述第一金属连接孔连接。

可选地，在本申请的任一实施例中，所述第一金属连接孔为共享连接孔，所述第一掺杂区以及所述第一电极共用所述共享连接孔，以通过所述共享连接孔连接所述第一掺杂区以及所述第一电极。

可选地，在本申请的任一实施例中，所述反熔丝还包括第二金属连接孔以及金属连线层，所述第二金属连接孔用于连接第二掺杂区域与所述金属连线层，或者用于连接所述栅电极与所述金属连线层。