[发明专利]微发光二极管显示面板、微发光二极管显示装置和制造微发光二极管显示面板的方法

权利要求书

1.一种微发光二极管显示面板，包括：

载体基板层，所述微发光二极管显示面板包括分别延伸进入所述载体基板层中的多个过孔；

多个微发光二极管，所述多个微发光二极管位于所述载体基板层上；以及

波长转换层，其包括填充在所述多个过孔中的波长转换材料；

蚀刻停止层，其位于所述载体基板层的远离所述多个微发光二极管的一侧并且实质上位于与所述多个过孔对应的区域之外，所述蚀刻停止层和所述载体基板层限定所述微发光二极管显示面板的多个子像素孔；

多个通孔，所述多个通孔分别贯穿所述载体基板层；

多条信号线，所述多条信号线分别通过所述多个通孔分别连接到所述多个微发光二极管的电极；所述蚀刻停止层位于所述多条信号线远离所述多个通孔的一侧。

2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其中，所述波长转换层在包括所述载体基板层的平面上的正投影和所述多个微发光二极管在包括所述载体基板层的平面上的正投影至少部分地彼此重叠。

3.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其中，所述载体基板层相对于所述蚀刻停止层具有高蚀刻选择比。

4.根据权利要求3所述的微发光二极管显示面板，其中，所述载体基板层相对于所述蚀刻停止层和所述多个微发光二极管的最接近所述波长转换层的半导体层具有高蚀刻选择比。

5.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其中，所述蚀刻停止层包括含有SiN_aO_b的材料，其中(a+b)0；并且

所述载体基板层包括硅。

6.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其中，所述多个过孔分别贯穿所述载体基板层。

7.根据权利要求6所述的微发光二极管显示面板，其中，所述波长转换层与所述多个微发光二极管的最接近所述波长转换层的半导体层直接接触。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的微发光二极管显示面板，其中，所述波长转换层的厚度大于10μm。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的微发光二极管显示面板，其中，所述波长转换层的厚度与所述载体基板层的厚度实质上相同。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的微发光二极管显示面板，还包括位于所述波长转换层的远离所述多个微发光二极管一侧的彩膜层；

其中，所述彩膜层在所述多个微发光二极管上的正投影实质上覆盖所述波长转换层在所述多个微发光二极管上的正投影。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的微发光二极管显示面板，还包括薄膜晶体管阵列基板；

其中，所述多个微发光二极管接合至所述薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管分别被配置为驱动所述多个微发光二极管发光；

所述载体基板层位于所述多个微发光二极管的远离所述薄膜晶体管阵列基板的一侧；并且

所述多个微发光二极管在所述薄膜晶体管阵列基板上的正投影实质上覆盖所述波长转换层在所述薄膜晶体管阵列基板上的正投影。

12.一种微发光二极管显示装置，包括根据权利要求1至11中任一项所述的微发光二极管显示面板。