[发明专利]微发光二极管显示面板、微发光二极管显示装置和制造微发光二极管显示面板的方法有效
申请号: | 201880001629.4 | 申请日: | 2018-10-12 |
公开(公告)号: | CN109791939B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 陈右儒;于晶 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 刘悦晗;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示 面板 显示装置 制造 方法 | ||
一种微发光二极管(微LED)显示面板,包括:载体基板层;分别延伸进入载体基板层中多个过孔;载体基板层上的多个微LED;以及波长转换层,其包括填充在所述多个过孔中的波长转换材料。
技术领域
本发明涉及显示技术,特别涉及一种微发光二极管显示面板、微发光二极管显示装置及制造微发光二极管显示面板的方法。
背景技术
近年来,提出并开发了小型化的电光设备,包括微发光二极管(微LED)。基于微LED的显示面板具有亮度高、对比度高、响应快和功耗低的优点。基于微LED的显示技术已经在显示领域中得到了广泛的应用,包括智能手机和智能手表。
发明内容
一方面,本发明提供一种微发光二极管(微LED)显示面板,包括:载体基板层,所述微LED显示面板包括分别延伸进入载体基板层中的多个过孔;位于载体基板层上的多个微LED;以及波长转换层,其包括填充在所述多个过孔中的波长转换材料。
可选地,波长转换层在包括载体基板层的平面上的正投影和所述多个微LED在包括载体基板层的平面上的正投影至少部分地彼此重叠。
可选地,微LED显示面板还包括蚀刻停止层,其位于载体基板层的远离所述多个微LED的一侧并且实质上在与所述多个过孔对应的区域之外,蚀刻停止层和载体基板层限定微LED显示面板的多个子像素孔。
可选地,载体基板层相对于蚀刻停止层具有高蚀刻选择比。
可选地,载体基板层相对于蚀刻停止层和多个微LED的最接近波长转换层的半导体层具有高蚀刻选择比。
可选地,蚀刻停止层包括含有SiNaOb的材料,其中(a+b)0;并且载体基板层包括硅。
可选地,微LED显示面板还包括:多个通孔,所述多个通孔分别贯穿载体基板层;以及多条信号线,所述多条信号线分别通过所述多个通孔分别连接到所述多个微LED的电极。
可选地,所述多个过孔分别贯穿载体基板层。
可选地,波长转换层与所述多个微LED的最接近波长转换层的半导体层直接接触。
可选地,波长转换层的厚度大于10μm。
可选地,波长转换层的厚度与载体基板层的厚度实质上相同。
可选地,微LED显示面板还包括位于波长转换层的远离所述多个微LED一侧的彩膜层;其中,彩膜层在所述多个微LED上的正投影实质上覆盖波长转换层在所述多个微LED上的正投影。
可选地,微LED显示面板还包括薄膜晶体管阵列基板;其中,所述多个微LED接合至薄膜晶体管阵列基板,薄膜晶体管阵列基板包括多个薄膜晶体管,所述多个薄膜晶体管分别被配置为驱动所述多个微LED发光;载体基板层位于所述多个微LED的远离薄膜晶体管阵列基板的一侧;并且所述多个微LED在薄膜晶体管阵列基板上的正投影实质上覆盖波长转换层在薄膜晶体管阵列基板上的正投影。
另一方面,本发明提供一种微发光二极管(微LED)显示装置,包括本文所述的微LED显示面板或通过本文所述的方法制造的微LED显示面板。
另一方面,本发明提供一种制造微发光二极管(微LED)显示面板的方法,包括:在载体基板上形成多个微LED;形成分别延伸进入载体基板中的多个过孔,从而形成载体基板层;以及通过将波长转换材料填充到所述多个过孔中来形成波长转换层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的