[发明专利]压电基板以及表面声波器件

说明书

本发明提供一种压电基板，其由钽酸锂(LT)晶体等含锂的金属化合物晶体构成，该压电基板在基板内含有钾，且钾的分布在基板的厚度方向上大致均匀。另外，提供一种压电基板，在从截面方向测定的拉曼光谱中，在380cm^‑1附近存在的起因于Li‑O晶格振动的峰与电导率为1×10^‑15S/cm以下的未处理压电基板的同一峰相比，向高波数侧位移。

技术领域

本发明涉及使用表面声波(Surface Acountic Wave：SAW)进行信号处理的SAW器件等的用途中使用的、包含含锂的金属化合物晶体的压电基板以及使用其的SAW器件。

背景技术

包含含锂的金属化合物晶体的压电基板作为利用SAW的电学特性进行信号处理的SAW器件被广泛利用。作为含锂的金属化合物晶体，使用例如钽酸锂LiTaO₃(以下称为LT)晶体。另外，关于含锂的金属化合物晶体，还可以使用铌酸锂LiNbO₃晶体。SAW器件成为例如：在由LT晶体构成的压电基板的基板上设有由通过光刻法形成的金属图案构成的电极的结构。

例如LT基板等压电基板具有热电系数大、电阻高的特性。因此，通过略微的温度变化而容易在表面产生电荷，而且，一旦产生的电荷被蓄积，则只要不从外部实施除电处理，带电状态就持续下去。因此，存在如下问题：在由这些单晶制作基板(晶片)的过程中，由于静电放电(火花)而容易在基板表面、基板边缘发生缺损、碎裂，生产率变低。

另外，在表面声波器件的制造工序中，有电极薄膜的形成、光刻中的前烘、后烘等几个伴随温度变化的工序。因此，在将上述LT单晶等用作压电基板的情况下，在表面声波器件的制造过程中，压电基板的静电的发生成为问题。若压电基板带电，则在压电基板内发生静电放电，成为裂纹或破裂的原因。另外，形成的电极还有可能由于静电而短路。

作为解决压电基板的放电造成的问题的方法，提出了各种提高压电基板表面的电导率的方法。通过提高压电基板表面的电导率，从而在压电基板的表面产生的电荷在基板表面移动，能够缓和基板表面的电位差并抑制局部的电荷的蓄积导致的放电现象。

一直以来作为提高压电基板的表面的电导率的方法，提出了通过热处理对压电基板进行还原处理的方法(例如参照专利文献1～5)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-92147号公报

专利文献2：日本专利3816903号公报

专利文献3：日本特开2010-173864号公报

专利文献4：日本专利4937178号公报

专利文献5：日本专利4789281号公报

发明内容

本发明的实施方式涉及的压电基板由含锂的金属化合物晶体构成，该压电基板在基板内含有钾，且钾的分布在基板的厚度方向上大致均匀。另外，本发明的实施方式涉及的压电基板由含锂的金属化合物晶体构成，在从截面方向测定的拉曼光谱中，在380cm^-1附近存在的起因于Li-O晶格振动的峰与电导率为1×10^-15S/cm以上的压电基板的同一峰相比，向高波数侧位移。或者，在从截面方向测定的拉曼光谱中，起因于Li-O晶格振动的峰位于比381cm^-1更高波数侧。本发明的实施方式涉及的表面声波器件具备上述的压电基板、和在该压电基板的表面形成的电极。

附图说明

图1A是表示对于实施例1的压电基板用TOF-SIMS测定的基板内的钾均匀性的图像。

图1B是表示对于实施例2的压电基板用TOF-SIMS测定的基板内的钾均匀性的图像。