[发明专利]半导体制造装置用加热器有效
| 申请号： | 201880002671.8 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110352182B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 山名启太;曻和宏;鸟居谦悟 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/582 | 分类号： | C04B35/582;H05B3/10;H05B3/74 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;金鲜英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 加热器 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体制造装置用加热器，其是在AlN陶瓷基体的内部埋设有发热体的半导体制造装置用加热器，
所述AlN陶瓷基体在含有O、C、Ti、Ca、Y作为杂质元素的同时，含有铝酸钇相作为结晶相，且Ti/Ca的质量比为0.13以上，并且在使用CuKα射线所测定的XRD图谱中没有确认到TiN相，
所述Ti/Ca的质量比为0.5以下，
所述AlN陶瓷基体的Ti含有率为18质量ppm以上95质量ppm以下。
2.如权利要求1所述的半导体制造装置用加热器，
所述AlN陶瓷基体含有YAM和YAL且YAM/YAL的质量比为2.8以上5.3以下。
3.如权利要求1或2所述的半导体制造装置用加热器，
所述AlN陶瓷基体中的O/C的质量比为48以上65以下。
4.如权利要求1或2所述的半导体制造装置用加热器，
所述AlN陶瓷基体在540℃时的体积电阻率为1.0×109Ωcm以上。
5.如权利要求1或2所述的半导体制造装置用加热器，
所述AlN陶瓷基体的弯曲强度为300MPa以上。
6.如权利要求1或2所述的半导体制造装置用加热器，
所述AlN陶瓷基体的热导率为170W/m·K以上。
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