[发明专利]半导体制造装置用加热器

说明书

本发明的半导体制造装置用加热器是在AlN陶瓷基体的内部埋设有发热体的半导体制造装置用加热器，AlN陶瓷基体含有O、C、Ti、Ca、Y作为杂质元素，且Ti/Ca的质量比为0.13以上，在XRD图谱中没有确认到TiN相。

技术领域

本发明涉及半导体制造装置用加热器。

背景技术

作为半导体制造装置用加热器，已知有如专利文献1中所示那样具有AlN陶瓷基体和埋设于该AlN陶瓷基体内部的发热体的半导体制造装置用加热器。这样的半导体制造装置用加热器用于对载置于AlN陶瓷基体的表面的晶片进行加热。此外，作为半导体制造装置用加热器，已知有如专利文献2中所示那样在AlN陶瓷基体的内部埋设有发热体和静电电极的半导体制造装置用加热器。

另一方面，在专利文献3、4中，作为AlN陶瓷基体，公开了一种在原料中配合CaO、TiO₂等并进行烧结而得的AlN陶瓷基体。例如，文献3中公开了在原料中配合了2重量％的CaO、0.5重量％的TiO₂的例子(Ti/Ca质量比为0.21)，文献4中公开了在原料中配合了1重量％的CaO、0.2重量％的TiO₂的例子(Ti/Ca质量比为0.15)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-153194号公报

专利文献2：日本特开2005-281046号公报

专利文献3：日本特开平8-157261号公报

专利文献4：日本特开平8-157262号公报

发明内容

发明要解决的课题

专利文献1、2的半导体制造装置用加热器中，如果从发热体向晶片泄漏电流，或从静电电极向晶片泄漏电流，则晶片会受到损伤。因此，优选将AlN陶瓷基体的体积电阻率控制为较高的值(例如7×10⁸Ωcm以上)。然而，AlN陶瓷基体的体积电阻率有时会受杂质的影响而变动，难以控制体积电阻率。尤其是AlN陶瓷基体有时含有O、C、Ti、Ca、Y作为杂质元素，而关于这些元素会对体积电阻率产生什么样的影响，迄今未知。

此外，专利文献3、4的AlN陶瓷基体含有Ti、Ca，但由于Ti的配合量过多，因此在烧结时会生成体积电阻率极低(2～6×10^-5Ωcm)的TiN相，从而存在AlN陶瓷基体整体的体积电阻率下降这样的问题。

本发明是为了解决这样的课题而提出的，其主要目的在于，对于使用了AlN陶瓷基体的半导体制造装置用加热器，即使AlN陶瓷基体含有O、C、Ti、Ca、Y作为杂质元素，在高温时也具有较高的体积电阻率。

解决课题的方法

本发明的半导体制造装置用加热器是在AlN陶瓷基体的内部埋设有发热体的半导体制造装置用加热器，

上述AlN陶瓷基体在含有O、C、Ti、Ca、Y作为杂质元素的同时，含有铝酸钇相作为结晶相，且Ti/Ca的质量比为0.13以上，并且在使用CuKα射线所测定的XRD图谱中没有确认到TiN相。