[发明专利]用于编程存储器系统的方法

权利要求书

1.一种用于编程存储器系统的方法，所述存储器系统包括多个存储块，每个存储块包括多个存储单元，所述方法包括：

在编程过程期间：

执行利用多个编程电压脉冲的第一编程操作以编程所述多个存储块中的第一存储块；

在完成所述第一编程操作之后等待针对瞬时阈值电压偏移而预定的一延迟时间；

在等待了所述延迟时间之后，执行全级别阈值电压测试，以确定所述第一存储块中的存储单元的阈值电压是否大于对应的阈值电压；以及

根据所述全级别阈值电压测试的结果执行利用多个编程电压脉冲的第二编程操作以编程所述第一存储块，

其中，执行所述第一编程操作以编程所述第一存储块包括：

生成第一编程电压脉冲以编程所述第一存储块；

执行第一级阈值电压测试以确定所述第一存储块的阈值电压是否大于第一阈值电压；

根据所述第一级阈值电压测试的结果生成第二编程电压脉冲以编程所述第一存储块；

执行第二级阈值电压测试以确定所述第一存储块的阈值电压是否大于比所述第一阈值电压大的第二阈值电压；以及

根据所述第二级阈值电压测试的结果生成第三编程电压脉冲以编程所述第一存储块，所述第三编程电压脉冲大于所述第二编程电压脉冲，并且所述第二编程电压脉冲大于所述第一编程电压脉冲。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

执行后台介质扫描以确定先前已被编程的第二存储块的数据有效比；以及

当确定所述第二存储块的数据有效比小于阈值时：

复制存储在所述第二存储块中的有效数据；

从先前未被编程的至少一个存储块中选择所述第一存储块；以及

启动所述编程过程。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行所述第一编程操作以编程所述多个存储块中的所述第一存储块包括将存储在所述第二存储块中的所述有效数据编程到所述第一存储块。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括执行擦除操作以擦除所述第二存储块。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，周期性地执行所述后台介质扫描。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，根据所述全级别阈值电压测试的结果执行所述第二编程操作以编程所述第一存储块包括：

在所述第二编程操作期间，禁用第二块中通过所述全级别阈值电压测试的存储单元。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，根据所述全级别阈值电压测试的结果执行所述第二编程操作以编程所述第一存储块包括：

生成第一编程电压脉冲以编程所述第一存储块；

执行第一级阈值电压测试以确定所述第一存储块的阈值电压是否大于第一阈值电压；以及

根据所述第一级阈值电压测试的结果生成第二编程电压脉冲以编程所述第一存储块。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，根据所述全级别阈值电压测试的结果执行所述第二编程操作以编程所述第一存储块还包括：

执行第二级阈值电压测试以确定所述第一存储块的阈值电压是否大于比所述第一阈值电压大的第二阈值电压；以及

根据所述第二级阈值电压测试的结果生成大于所述第二编程电压脉冲的第三编程电压脉冲以编程所述第一存储块。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第三编程电压脉冲大于所述第二编程电压脉冲，并且所述第二编程电压脉冲大于所述第一编程电压脉冲。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，当编程时间的长度对于所述存储器系统不重要时，启动所述编程过程。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一存储块耦合到不同字线，且在所述第一编程操作和所述第二编程操作期间同时编程所述第一存储块中的耦合到相同字线的存储单元。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器系统是NAND闪存系统。