[发明专利]用于编程存储器系统的方法

说明书

存储器系统包括多块存储块，每个存储块包括多个存储单元。用于编程存储器系统的方法包括：在编程过程期间，执行第一编程操作以编程第一存储块，在完成第一编程操作之后等待延迟时间，在等待了延迟时间之后，执行全级别阈值电压测试，以确定第一存储块的阈值电压是否大于对应的阈值电压，并根据全级别阈值电压测试的结果执行第二编程操作以编程第一存储块。

技术领域

本发明涉及一种用于编程存储器系统的方法，并且更具体而言，本发明涉及一种用于编程存储器系统以减少保持误差的方法。

背景技术

NAND闪存是一种非易失性储存介质，已广泛应用于包括笔记本电脑、移动电话和硬盘驱动器等许多领域。但是，存储在NAND闪存中的数据可能并不总是稳定和固定的。例如，随着闪存单元随时间丢失电荷，存储在闪存单元中的数据可能会改变并变为无效。当闪存单元是多层单元(MLC)时，保持误差甚至将更加棘手。

导致保持误差的原因之一被称为瞬时(或初始)阈值电压(Vt)偏移(IVS)，这表示编程操作引起的阈值电压可能在编程操作后的短时间段内下降。有时，IVS可以大到200mV至300mV。在这种情况下，读取余量将减小，并且存储在一些闪存单元中的数据可能变为无效。

发明内容

本发明的一个实施例公开了一种用于编程存储器系统的方法。存储器系统包括多个存储块，每个存储块包括多个存储单元。

该方法包括在编程过程期间，执行第一编程操作以编程多个存储块中的第一存储块，在完成第一编程操作之后等待延迟时间，在等待了所述延迟时间之后，执行全级别阈值电压测试，以确定第一存储块中的存储单元的阈值电压是否大于对应的阈值电压，以及根据全级别阈值电压测试的结果执行第二编程操作以编程第一存储块。

在阅读了对各个图和附图中示出的优选实施例的以下详细描述之后，本发明的这些和其他目的无疑将对本领域普通技术人员变得显而易见。

附图说明

图1示出了根据本发明一个实施例的存储器系统。

图2示出了根据本发明的一个实施例用于操作图1中的存储器系统的方法。

图3示出了根据本发明一个实施例的编程操作的流程图。

具体实施方式

图1示出了根据本发明一个实施例的存储器系统100。存储器系统100包括多个存储块B1至BK，并且每个存储块B1至BK包括多个存储单元。在本发明的一些实施例中，存储器系统100可以是闪存，例如NAND型闪存。

在图1中，每个存储块B1至BK可以包括相同数量的存储单元。例如，存储块B1可以包括M×N个存储单元MCA(1,1)至MCA(M,N)，其中，每N个存储单元耦合到M条字线WLA1至WLAM中的相同对应字线，其中，M和N是大于1的正整数。

在一些实施例中，存储单元MCA(1,1)至MCA(M,N)可以是多层单元(MLC)，包括四层单元(QLC)和三层单元(TLC)。即，存储单元MCA(1,1)至MCA(M,N)中的每一个可以存储多位状态的数据。

例如，存储单元MCA(1,1)至MCA(M,N)中的每一个可以包括浮栅晶体管FT。在存储单元MCA(1,1)至MCA(M,N)的编程操作期间，存储单元MCA(1,1)至MCA(M,N)的浮栅晶体管FT的栅极端子可以从字线WLA1至WLAM接收编程电压，并且存储单元MCA(1,1)至MCA(M,N)的浮栅晶体管FT的第一端子可以接收参考电压。在一些实施例中，编程电压可以大于参考电压，并因此浮栅晶体管FT的栅极端子和第一端子之间的高跨接电压(cross voltage)将向浮栅晶体管FT的栅极结构注入电子，从而增大浮栅晶体管FT的阈值电压。