[发明专利]溅射靶、磁性膜和磁性膜的制造方法有效
| 申请号： | 201880004047.1 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN111183243B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 增田爱美;清水正義;下宿彰 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 磁性 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种溅射靶，以原子比换算计含有1at.％以上且20at.％以下的Zn，所述Zn的一部分或全部形成包含Zn2TiO4和/或Zn2SiO4的复合氧化物，Pt为45at.％以下，余量包含Co和不可避免的杂质。
2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，
含有1at.％～15at.％的Zn。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，
还形成有选自Co、Cr、Si、B、W、Nb、Mn、Mo和Ti中的至少一种元素的氧化物。
4.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，
还分别含有60at.％以下的选自Au、Ag、B、Cu、Cr、Ga、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W和V中的至少一种。
5.一种磁性膜，该磁性膜是通过使用了权利要求1～4中任一项所述的溅射靶的溅射来形成的。
6.一种磁性膜的制造方法，该方法是通过使用了权利要求1～4中任一项所述的溅射靶的溅射来形成磁性膜。
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