[发明专利]溅射靶、磁性膜和磁性膜的制造方法

说明书

本发明的课题在于提供一种可形成兼具磁性颗粒间的良好的磁分离性和高矫顽力的磁性膜的溅射靶、磁性膜和磁性膜的制造方法。本发明的解决方案在于本发明的溅射靶以原子比换算计含有1at.％以上的Zn，其一部分或全部形成Zn‑Ti‑O和/或Zn‑Si‑O的复合氧化物，Pt为45at.％以下，余量包含Co和不可避免的杂质。

技术领域

本发明主要涉及一种具有在包含Co的金属相中分散有氧化物颗粒的组织结构、且用于形成构成磁记录介质的磁记录层等磁性膜的溅射靶、磁性膜和磁性膜的制造方法，特别是提出了可有助于提高磁性膜的磁特性的技术。

背景技术

例如，在硬盘装置中，对于记录面沿垂直方向进行磁记录的垂直磁记录方式已实用化，与以往的水平磁记录方式相比能够实现高密度的记录，因此被广泛采用。

垂直磁记录方式的磁记录介质一般是在铝或玻璃等基板上依次层叠软磁性层、非磁性中间层、磁记录层和保护层而构成的，其中，磁记录层使用在以Co作为主要成分的Co-Cr-Pt系合金等中添加有SiO₂等氧化物的颗粒状结构的磁性膜。由此，在该磁记录层中，作为非磁性材料的上述氧化物在沿垂直方向取向的Co合金等磁性颗粒的晶界析出，磁性颗粒间的磁性相互作用减小，由此引起的噪声特性得到提高，并实现了高记录密度。

这样的磁记录介质的磁记录层通常是使用在以Co作为主要成分的金属相中分散规定的氧化物颗粒而形成的溅射靶，通过磁控溅射装置于规定的层上进行溅射而形成的。

此外，作为这种溅射的相关技术，以往有专利文献1～7中记载的技术等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011－208169号公报；

专利文献2：日本特开2011－174174号公报；

专利文献3：日本特开2011－175725号公报；

专利文献4：日本特开2012－117147号公报；

专利文献5：日本专利第4885333号；

专利文献6：国际公开第2012/086388号；

专利文献7：国际公开第2015/064761号。

发明内容

技术问题

然而，在用于形成上述这样的垂直磁记录方式的磁记录层的溅射靶中，通常是使用SiO₂或TiO₂等金属氧化物作为使沿垂直方向取向的磁性颗粒彼此发生磁分离的氧化物。

然而，仅凭添加这样的Si或Ti的氧化物，磁性颗粒间的分离不充分，由此可知：从降低记录层所引起的噪声的角度考虑，存在问题。

另一方面，为了改善分离而欲增加添加氧化物的量时，磁性颗粒会变小、或者氧化物会分布在磁性颗粒内，其结果，无法维持高矫顽力。

本发明解决现有技术所拥有的上述问题，其目的在于：提供一种可形成兼具磁性颗粒间的良好的磁分离性和高矫顽力的磁性膜的溅射靶、磁性膜和磁性膜的制造方法。

解决问题的方案

发明人发现：在制造溅射靶时，除了添加Co等金属粉末以及Si和/或Ti的氧化物粉末以外还添加ZnO粉末，例如采用热压法在真空环境或惰性气体环境下、在700～1500℃的温度范围进行粉末烧结，从而形成Zn-Ti-O和/或Zn-Si-O的复合氧化物，该复合氧化物带来良好的磁分离性和高矫顽力。

认为这是由于Zn-Ti-O或Zn-Si-O的复合氧化物大致均匀分布在磁性颗粒的周围，由此可以降低粒间的强磁性交换结合、而不会减小磁性颗粒的尺寸和磁各向异性，但本发明并不限于这种理论。