[发明专利]磁铁结构体、磁铁单元及包括此的磁控管溅射装置有效

专利信息
申请号: 201880005034.6 申请日: 2018-02-08
公开(公告)号: CN110073464B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 金正健;苏秉镐;金宣映;禹昌远;赵成基 申请(专利权)人: ULVAC韩国股份有限公司
主分类号: H01J37/34 分类号: H01J37/34;C23C14/34;H01F7/122;H01F7/02
代理公司: 北京尚伦律师事务所 11477 代理人: 张俊国
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁铁 结构 单元 包括 磁控管 溅射 装置
【权利要求书】:

1.一种磁控管溅射装置的磁铁结构体,其包括:

永久磁铁;及

电磁线圈,使围绕所述永久磁铁;

所述永久磁铁包括:

第一部分,由垂直方向延长形成,卷曲所述电磁线圈;及

第二部分,从所述第一部分的上端及下端中一个以上,由水平方向延长形成,不卷曲所述电磁线圈;

所述第二部分包括由垂直方向延长形成的一个以上的支部。

2.根据权利要求1所述的磁控管溅射装置的磁铁结构体,其中,调整施加到所述电磁线圈的电压及电流中一个以上,控制磁铁结构体的磁场的强度。

3.根据权利要求1所述的磁控管溅射装置的磁铁结构体,其中,所述第二部分的水平方向长度,比所述第一部分断面的水平方向长度及所述电磁线圈的断面的总厚度的和大。

4.根据权利要求1所述的磁控管溅射装置的磁铁结构体,其中,所述永久磁铁是从T形状结构体、I形状结构体、E形状结构体及F形状结构体形成的群中被选择的任何一个。

5.一种磁控管溅射装置的磁铁单元,其包括:

磁轭;及

磁铁结构体,具备在所述磁轭上的多个权利要求1至4中任何一项所述的磁控管溅射装置的磁铁结构体,且

多个所述磁铁结构体由相互串联结构、并联结构或者包括这两个的结构连接配置。

6.根据权利要求5所述的磁控管溅射装置的磁铁单元,其中,调整施加到所述磁铁结构体各个电磁线圈的电压及电流中一个以上,使所述磁铁单元的至少一个领域与另一个领域,具有不同磁场强度进行控制。

7.根据权利要求5所述的磁控管溅射装置的磁铁单元,其中,所述多个磁铁结构体包括:

第一磁铁群,具有从N极或者S极中选择的一个磁极;及

第二磁铁群,在N极或者S极中,具有与所述第一磁铁群不同磁极。

8.根据权利要求7所述的磁控管溅射装置的磁铁单元,其中,所述第二磁铁群配置在所述第一磁铁群的外侧。

9.一种磁控管溅射装置,其包括:

基板落脚部,落脚基板;

磁铁部,面向所述基板落脚部,由规定间隔隔离被具备一个以上;及

目标部,一个以上具备在所述基板落脚部和磁铁部之间,且

所述磁铁部包括一个以上权利要求5至8中任何一项所述的磁铁单元。

10.根据权利要求9所述的磁控管溅射装置,其中,所述磁铁单元的永久磁铁上表面和所述目标部上表面之间的距离是30mm至90mm。

11.根据权利要求9所述的磁控管溅射装置,其中,所述磁铁部还包括:

冷却手段,配置在所述磁铁结构体的至少一侧。

12.根据权利要求11所述的磁控管溅射装置,其中,所述磁铁部还包括:

建模部,单位模块化所述磁轭、所述磁铁结构体及所述冷却手段。

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