[发明专利]磁铁结构体、磁铁单元及包括此的磁控管溅射装置

说明书

本发明涉及可利用在磁控管溅射装置的磁铁等，本发明的磁控管溅射装置的磁铁结构体包括永久磁铁；及使围绕所述永久磁铁的线。

技术领域

本发明涉及可利用在磁控管溅射装置的磁铁结构体等，尤其是涉及溅射工程时，可提高均匀度的磁铁结构体、磁铁单元及具备此的磁控管溅射装置。

背景技术

溅射装置是制造半导体、FPD(LCD、OLED等)或者太阳电池时，在基板上镀薄膜的装置。此外，溅射装置也可利用在卷式生产方式(roll to roll)装置。溅射装置中的一个磁控管溅射(magnetron sputtering)装置，利用由真空状态的铅室(chamber)内注入气体，生成等离子，将离子化的气体粒子离子与将要镀的目标(target)物质冲突之后，将由冲突溅射的粒子镀在基板的技术。在这种情况下，未来形成磁力线，磁铁单元面向基板，配置在目标后面。即，形成在目标前面配置基板，在目标后面配置磁铁单元的配置。

这些磁控管溅射装置可相对的在低温制造薄膜，由电磁场加速的离子紧密地镀在基板，因具有镀速度快的优点，被广泛使用。

一方面，为了在大面积的基板上镀薄膜，利用滑轮或者群集系统。滑轮及群集系统在装载室和卸载室之间，配置多个处理室，由装载室装载的基板，通过多个处理室进行连续的工程。在这些滑轮及群集系统中，溅射装置配置在至少一个处理室内，磁铁单元由一定间隔被安装。

但是，存在由磁铁单元的固定磁场，因此，目标表面的侵蚀由电磁场及磁场的等离子密度被确定。特别地，磁铁单元在边缘，即长度方向的至少一端部集中地面电位，因此，基板边缘的等离子密度比其他领域的大，由此目标的边缘比其他领域，溅射速度快。因此，镀在基板上的薄膜的厚度分布不均匀，发生膜质分布低下的问题，发生由等离子密度差的目标特征部分的过度侵蚀的目标使用效率减小的问题。

为了解决这些问题，具有利用边缘的厚度比中央部的厚度更厚目标的方法。为了制造这些目标，利用研磨平面目标的中央部，变薄厚度等附加工程，加工平面目标。但是，这是由加工平面目标，发生材料的损失，具有由附加工程的费用问题。此外，在加工目标的过程中，也可发生目标被损伤等问题。

作为解决问题的其他方法，具有利用分流(shunt)等调整目标表面磁场强度的方法、在磁铁的边缘利用衬料调整距离的方法，或者在磁铁的边缘位置附加Z轴马达的方法等。但是，这些方法都增加制造费用，由手来调整磁场的强度，且磁场强度的调整不能局部地形成，因此，具有需要数回地反复作业，多费作业时间等问题。

发明内容

技术问题

本发明的目的是提供可防止目标的局部过度侵蚀，可改善面内分布的磁铁结构体及具备此的磁控管溅射装置。

本发明的目的是提供整体上发生均匀的磁场，且没有附加的工程或手作业，也可调整局部磁场的磁铁结构体及具备此的磁控管溅射装置。

此外，本发明的目的是维持磁控管溅射装置的真空度，且不开放铅室调整磁场强度。本发明的目的是提供由大的宽度变化磁场，可便于控制其变化的磁铁结构体及具备此的磁控管溅射装置。

技术手段

本发明的磁控管溅射装置的磁铁结构体包括：永久磁铁；及线，使围绕所述永久磁铁。

根据本发明的一个实施例的磁控管溅射装置的磁铁结构体，调整施加到所述线的电压及电流中一个以上，控制磁铁结构体的磁场的强度。

根据本发明的一个实施例，所述永久磁铁包括：第一部分，由垂直方向延长形成，卷曲所述线；及第二部分，从所述第一部分的上端及下端中一个以上，由水平方向延长形成，不卷曲所述线。

根据本发明的一个实施例，所述第二部分的水平方向长度，比所述第一部分断面的水平方向长度及所述线断面的总厚度的合大。